[发明专利]用于处理载体的方法和电子部件在审
申请号: | 201410274878.4 | 申请日: | 2014-06-19 |
公开(公告)号: | CN104241093A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | K.普吕格尔;G.鲁尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L29/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;胡莉莉 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 载体 方法 电子 部件 | ||
1.一种用于处理载体的方法,所述方法包括:
在载体上形成第一催化金属层;
在第一催化金属层上形成源层;
在源层上形成第二催化金属层,其中第二催化金属层的厚度大于第一催化金属层的厚度;和
随后进行退火,以使得能够进行源层的材料的扩散,以由源层的扩散材料形成与载体的表面邻接的界面层。
2.按照权利要求1所述的方法,
其中形成源层包括形成包括以下一组材料中的至少一种材料的层,该组由以下材料组成:
碳;
硅;和
锗。
3.按照权利要求1所述的方法,
其中形成第一催化金属层包括形成过渡金属层。
4.按照权利要求1所述的方法,
其中形成第二催化金属层包括形成过渡金属层。
5.按照权利要求1所述的方法,
其中用和第二催化金属层相同的材料,形成第一催化金属层。
6.按照权利要求1所述的方法,还包括:
去除退火载体的剩余催化金属层,从而露出界面层。
7.按照权利要求1所述的方法,还包括:
在源层和第二催化金属层之间,形成扩散阻挡层。
8.按照权利要求7所述的方法,还包括:
去除退火载体的扩散阻挡层,从而露出界面层。
9.按照权利要求1所述的方法,还包括:
在形成第一催化金属层之前,使载体图案化。
10.按照权利要求1所述的方法,还包括:
调节催化金属层的厚度,源层的厚度和退火,以使得在退火期间,形成保形界面层,所述保形界面层具有二维晶格结构。
11.按照权利要求1所述的方法,还包括:
调节催化金属层的厚度,源层的厚度和退火,以使得在退火期间,形成一个或更多个保形单层,所述一个或更多个保形单层中的每个单层具有二维晶格结构。
12.按照权利要求1所述的方法,
其中在存在氢的情况下,进行退火。
13.按照权利要求1所述的方法,
其中在气体气氛中进行退火,所述气体气氛包括氢。
14.按照权利要求1所述的方法,还包括:
把氢引入催化金属层中的至少一层中,以便在退火期间提供氢。
15.按照权利要求1所述的方法,
其中在电绝缘载体上,形成第一催化金属层。
16.按照权利要求1所述的方法,
其中在二氧化硅表面层上,形成第一催化金属层。
17.一种用于处理载体的方法,所述方法包括:
在包括催化材料的载体之上,形成第一区域;
在第一区域之上形成第二区域,所述第二区域包括要被扩散的能够形成二维晶格结构的材料;
在第二区域之上形成第三区域,第三区域包括和第一区域相同的催化材料,其中第一区域的厚度小于第三区域的厚度;和
随后进行退火,以使得第二区域的材料扩散形成与载体的表面邻接的界面层,界面层的材料包括二维晶格结构。
18.一种电子部件,包括:
提供三维表面结构的电绝缘图案化基层;和
布置在图案化基板层之上的保形层,所述保形层是具有二维晶格结构的材料的单层,其中保形层使得能够进行沿着图案化基层的表面的空间上受限的电荷载流子输运。
19.按照权利要求18所述的电子部件,
其中保形层使得能够进行沿着至少一个空间方向的在小于1nm的区域中的空间上受限的电荷载流子输运。
20.按照权利要求18所述的电子部件,
其中保形层和图案化基层被配置成在保形层中引入内部应力,以改变具有二维晶格结构的材料的物理性质。
21.按照权利要求18所述的电子部件,
其中图案化基层包括多个凹槽,所述多个凹槽形成三维表面结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造