[发明专利]用于处理载体的方法和电子部件

说明书

技术领域

各个实施例一般涉及用于处理载体的方法，以及电子部件。

背景技术

一般地，利用半导体行业的典型处理，形成很薄的材料层，例如，具有层厚在纳米级，或者甚至层厚小于1纳米的材料层非常有挑战性。然而，对电子器件和集成电路技术来说，所谓的二维材料非常有吸引力。例如，包括成六边形布置的一层碳原子的石墨烯具有优良的电子特性，使例如具有增加的响应和/或开关行为的晶体管的制造成为可能。此外，与对应的块体材料相比，超薄的材料层具有增强的特性。于是，二维材料对于微电子学，例如，对于开发各种类型的传感器、晶体管等而言可能很重要，其中富有挑战性的任务可能是把这些二维材料并入到微芯片中以用于模拟普通的硅技术。

发明内容

在各个实施例中，提供一种用于处理载体的方法。所述用于处理载体的方法可包括：在载体上形成第一催化金属层；在第一催化金属层上形成源层；在源层上形成第二催化金属层，其中第二催化金属层的厚度大于第一催化金属层的厚度；随后进行退火，以使得能够进行材料从源层的扩散，从而由源层的扩散材料形成与载体的表面邻接的界面层。

附图说明

附图中，相同的附图标记贯穿不同的视图一般提及相同的部分。附图不一定是按比例的，相反，一般地重点被放在图解本发明的原理上。在下面的描述中，参照下面的附图来描述本发明的各个实施例，附图中：

图1示出按照各个实施例的用于处理载体的方法的示例性流程图；

图2A-2F分别示出按照各个实施例，在用于处理载体的方法期间的各个处理阶段的载体；

图3A和3B分别示出按照各个实施例，在用于处理载体的方法期间的各个处理阶段的图案化载体；

图4A-4C分别示出按照各个实施例，在用于处理载体的方法期间的各个处理阶段的载体；

图5A和5B分别示出按照各个实施例，在用于处理载体的方法期间的各个处理阶段的图案化载体；以及

图6示出注入块体镍材中的碳的示例性离子注入分布图。

具体实施方式

下面的详细描述提及随附的附图，所述附图以图解方式示出其中可实践本发明的具体细节和实施例。

下面的详细描述提及随附的附图，所述附图以图解方式示出其中可实践本发明的具体细节和实施例。足够详细地描述了这些实施例，以使本领域的技术人员能够实践本发明。可以在不脱离本发明的范围的情况下利用其它的实施例，并且可以作出结构、逻辑和电气改变。各个实施例不一定相互排斥，因为一些实施例可以与一个或更多的其它实施例结合，从而形成新的实施例。关于各种方法描述了各个实施例，并且关于各种器件描述了各个实施例。然而，可以明白关于各种方法描述的各个实施例可类似地应用于各种器件，反之亦然。

这里，用语“示例性”被用于意味“充当例子、实例或图解”。这里描述成“示例性”的实施例或设计不一定被解释成优于或者比其它实施例或设计有利。

用语“至少一个”和“一个或更多个”可被理解成包括大于或等于1的任意整数，即1、2、3、4等。

用语“多个”可被理解成包括大于或等于2的任意整数，即2、3、4、5等。

这里用于描述在侧面或表面之上形成特征，例如层的词语“在…之上”可用于意味直接地在所暗指的侧面或表面上，例如，与所暗指的侧面或表面直接接触地形成所述特征，例如所述层。这里用于描述在侧面或表面之上形成特征，例如层的词语“在…之上”可用于意味着在暗指的侧面或表面和形成的层之间布置另外的一层或更多层的情况下，间接地在所暗指的侧面或表面上形成所述特征，例如所述层。

用语“耦接”或“连接”可包括间接“耦接”或“连接”和直接“耦接”或“连接”这两者。

一般地，材料的物理性质和化学性质并不排他地由其晶体结构和化学成分限定。由于材料的表面的物理性质，例如电性质(例如，能带结构)不同于块体材料的物理性质，因此有关某层或某个区域的物理性质可能存在巨大的差异，如果所述层或区域的至少一个空间扩展可被减少到纳米级或者甚至亚纳米级的话。在这种情况下，形成所述层或区域的相应材料的表面性质可支配所述层或区域的特性(例如，物理和化学性质)。在限制情况下，层或区域的至少一维可具有几埃的空间扩展，所述几埃的空间扩展可能是相应材料的正好一个单层的原子的空间扩展。所述单层可以是具有横向扩展，和垂直于所述横向扩展的层厚(或高度)的层，该层包括多个原子(或分子)，其中该层具有一个单原子(或分子)的厚度(或高度)。换句话说，材料的单层可以不具有(沿着厚度或高度方向)布置在彼此之上的相同原子(或分子)。