[发明专利]基于超低K电介质的互连结构的制造方法及制造的产品有效
| 申请号： | 201410275812.7 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN105336665B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 电介质 互连 结构 制造 方法 产品 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于超低K电介质的互连结构的制造方法，包括：
在衬底上依次形成超低K电介质层和掩膜层；
图案化所述掩膜层；
以图案化后的掩膜层为掩膜，蚀刻所述超低K电介质层，所述蚀刻包括执行至少一次下述步骤：i)蚀刻所述超低K电介质层，所述蚀刻产生副产品聚合物；ii)停止所述蚀刻，向蚀刻室充入所述副产品聚合物，以密封经蚀刻所述超低K电介质层的侧壁。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当蚀刻至预定深度时，停止所述蚀刻。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预定深度是所述超低K电介质层的厚度。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超低K电介质层的介电常数不大于2.6。
5.如权利要求1所述的方法，还包括执行退火步骤，以去除所述副产品聚合物。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超低K电介质的材料为纳米多孔二氧化硅，所采用的蚀刻气体为氮气、氩气和四氟化碳的混合气体。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述副产品聚合物包括SiF4。
8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在衬底和超低K电介质层之间还形成有衬垫层。
9.如权利要求8所述的方法，还包括：在停止蚀刻后，蚀刻衬垫，以在衬垫中形成开口。
10.一种半导体器件，包括通过权利要求1至9中的任一项所述方法制造的超低K电介质结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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