[发明专利]发光器件和包括发光器件的照明设备

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层，第二导电类型半导体层，以及有源层，所述有源层被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间；

第一电极，所述第一电极被布置在所述第一导电类型半导体层上；以及

第二电极，所述第二电极被布置在所述第二导电类型半导体层上，

其中，所述发光结构包括部分地蚀刻所述第二导电类型半导体层、所述有源层、以及所述第一导电类型半导体层的台面蚀刻区域，从而暴露所述第一导电类型半导体层的一部分，并且所述第一电极被布置在所述台面蚀刻区域中的所述第一导电类型半导体层的暴露的部分上，

其中，第一电极层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二电极之间，并且第二电极层被布置于在所述台面蚀刻区域的相对侧处被相互隔开的所述第一电极层的部分之间。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极层和所述第二电极层中的每一个是透明电极层。

3.根据权利要求1或者2所述的发光器件，其中，所述第二电极层在所述第二电极层的相对的末端处重叠所述第一电极层。

4.根据权利要求1或者2所述的发光器件，其中，所述第二电极层重叠所述台面蚀刻区域的一部分。

5.根据权利要求1或者2所述的发光器件，其中，绝缘层被布置在所述台面蚀刻区域和所述第二电极层之间。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述绝缘层被布置在通过所述台面蚀刻区域暴露的所述发光结构的一部分的内部。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，在所述第二电极层和所述第一电极之间存在空的空间。

8.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述绝缘层填充在所述第二电极层和所述第一电极之间的空间。

9.根据权利要求1或者2所述的发光器件，其中，所述第二电极层接触所述第一电极层，并且在其中所述第二电极层接触所述第一电极层的位置处具有比所述第一电极层高的水平面。

10.根据权利要求1或者2所述的发光器件，其中，所述第二电极层比所述第一电极层厚。

11.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述绝缘层围绕所述第一电极。

12.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层，第二导电类型半导体层，以及有源层，所述有源层被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间；

第一电极，所述第一电极被布置在所述第一导电类型半导体层上；以及

第二电极，所述第二电极被布置在所述第二导电类型半导体层上，

其中，所述发光结构包括部分地蚀刻所述第二导电类型半导体层、所述有源层、以及所述第一导电类型半导体层的台面蚀刻区域，从而暴露所述第一导电类型半导体层的一部分，并且所述第一电极被布置在所述台面蚀刻区域中的所述第一导电类型半导体层的暴露的部分上，

其中，第一电极层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二电极之间，并且多个第二电极层单元被布置于在所述台面蚀刻区域的相对侧处被相互隔开的所述第一电极层的部分之间。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述第一电极层和所述第二电极层中的每一个是透明电极层。

14.根据权利要求12或者13所述的发光器件，其中，所述第二电极层单元中的邻近单元具有非均匀的间距。

15.根据权利要求14所述的发光器件，其中，在从所述第二电极的焊盘部分到所述第二电极的末端部分的方向上所述第二电极层单元之间的间距被逐渐地减小。

16.根据权利要求12或者13所述的发光器件，其中，在所述第二电极的焊盘部分到所述第二电极的末端部分的方向上所述第二电极层单元在数目上被逐渐地增加。

17.根据权利要求12或者13所述的发光器件，其中，所述第二电极单元分别具有非均匀的宽度。

18.根据权利要求17所述的发光器件，其中，在从所述第二电极的焊盘部分到所述第二电极的末端部分的方向上所述第二电极层单元的宽度被逐渐地增加。