[发明专利]发光器件和包括发光器件的照明设备

说明书

本申请要求在2013年6月19日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2013-0070104的权益，正如在此得到充分阐述的那样，其全部内容通过引用被包含于此。

技术领域

实施例涉及一种发光器件和包括发光器件的照明设备。

背景技术

由于薄膜生长技术和器件材料的发展，使用III-V族或者II-VI族化合物半导体材料的诸如发光二极管(LED)和激光二极管的发光器件可以呈现诸如红、绿、蓝和紫外的各种颜色。使用荧光材料或通过颜色混合高效地产生白光也是可能的。此外，与诸如荧光灯和白炽灯的传统的光源相比较，发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、快速响应时间、安全性和环境友好性的优点。

因此，这些发光器件越来越多地被应用于光学通信单元的传输模块、替代组成液晶显示器(LCD)器件的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光、和使用替代荧光灯或者白炽灯的白光发光二极管的照明设备、用于车辆和交通灯的头灯。

图1是传统的发光器件的截面图。图2是图示图1中的发光器件的电流扩展的顶部图像视图。图1图示沿着图2的线A-A截取的截面图。

参考图1，通过附图标记“1”指定的传统的发光器件，包括衬底10，和被布置在衬底10上的发光结构20。发光结构20包括第一导电类型半导体层22、有源层24、以及第二导电类型半导体层26。发光结构20具有通过蚀刻去除第二导电类型半导体层26、有源层24、以及第一导电类型半导体层22的部分的台面蚀刻区域M。

第一电极30被布置在通过蚀刻区域M暴露的第一导电类型半导体层22的一部分上。第二电极40被布置在第二导电类型半导体层26的未被蚀刻的部分上。透明电极层50被布置在第二导电类型半导体层26和第二电极40之间。

然而，传统的发光器件1可以具有下述问题。

参考图2，来自第二导电类型半导体层26的电流流动同时绕过(bypass)台面蚀刻区域，因为在台面蚀刻区域M中不存在透明电极层50。结果，电流扩展不是有效的，并且正因如此，可能存在其中电流被集中在第二电极40周围的现象。

发明内容

实施例提供一种呈现被改进的电流扩展的发光器件和包括发光器件的照明设备。

在实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层，第二导电类型半导体层，以及有源层，该有源层被布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极，该第一电极被布置在第一导电类型半导体层上；以及第二电极，该第二电极被布置在第二导电类型半导体层上，其中发光结构包括部分地蚀刻第二导电类型半导体层、有源层、以及第一导电类型半导体层的台面蚀刻区域，从而暴露第一导电类型半导体层的一部分，并且第一电极被布置在台面蚀刻区域中的第一导电类型半导体层的暴露的部分上，其中第一电极层被布置在第二导电类型半导体层和第二电极之间，并且第二电极层被布置于在台面蚀刻区域的相对侧处被相互隔开的第一电极层的部分之间。

第一电极层和第二电极层中的每一个可以是透明电极层。

第二电极层可以在第二电极层的相对的末端处重叠第一电极层。

第二电极层可以重叠台面蚀刻区域的一部分。

第一电极可以被布置在第二电极层之下。

绝缘层可以被布置在台面蚀刻区域和第二电极层之间。

绝缘层可以被布置在通过台面蚀刻区域暴露的发光结构的一部分的内部。

在第二电极层和第一电极之间可以存在空(empty)的空间。

绝缘层可以填充在第二电极层和第一电极之间的空间。

第二电极层可以接触第一电极层，并且可以在第二电极层接触第一电极层的位置处具有比第一电极层高的水平面(level)。

第二电极层可以比第一电极层厚。

绝缘层可以围绕第一电极。