[发明专利]一种显示装置、阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板，在基板上设有栅电极及栅线、栅绝缘层和有源层；

所述有源层为金属氧化物；

所述栅绝缘层和有源层同时形成。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层上还设有刻蚀阻挡层和源漏电极，所述刻蚀阻挡层上设有第一过孔，所述源漏电极通过第一过孔与有源层连接。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括钝化层和像素电极；所述钝化层上设有第二过孔，所述像素电极通过第二过孔与漏电极电连接。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物为单层金属氧化物；或者，

所述金属氧化物为由多层金属氧化物组成的复合层金属氧化物。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述单层金属氧化物为IGZO、ITZO、IZO、Cu₂O、GZO、AZO或ZnON。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

步骤S1、在基板上形成栅电极及栅线的图形；

步骤S2、通过一次构图工艺同时形成栅绝缘层和有源层的图形，其中，有源层为金属氧化物。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：

沉积一层栅绝缘薄膜，

沉积一层金属氧化物半导体层，

涂覆光刻胶；

采用普通掩膜工艺进行曝光显影，其中，有源层区域为光刻胶完全保留区域，形成上述区域之外区域为光刻胶完全去除区域；

通过第一次刻蚀，去除光刻胶完全去除区域对应的金属氧化物，通过第二次刻蚀，去除光刻胶完全去除区域对应的栅绝缘薄膜；

进行光刻胶的剥离，最终形成栅绝缘层和有源层的图形。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，还包括：

步骤S3、在有源层上形成刻蚀阻挡层和源漏电极的图形，所述刻蚀阻挡层上设有第一过孔，所述源漏电极通过第一过孔与有源层连接。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

沉积一层刻蚀阻挡层；

涂覆光刻胶；

采用普通掩膜工艺进行曝光显影，其中，刻蚀阻挡层上的第二过孔区域及栅极引线区域为光刻胶完全去除区域，形成上述区域之外区域为光刻胶完全保留区域；

进行干法刻蚀，及光刻胶的剥离，形成第二过孔。