[发明专利]一种显示装置、阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。

背景技术

在平面显示例如液晶显示器(LCD)、有机电致发光显示器或者无机电致发光显示器中，薄膜晶体管一般被用做开关元件来控制像素电极的作业，或是被用作驱动元件来驱动像素。薄膜晶体管除了非晶硅(a-Si)与多晶硅(poly-Si)等硅膜半导体以外，金属氧化物半导体愈来愈受到关注，其凭借工艺简单、薄膜特性稳定等优点，已逐渐取代硅膜半导体技术成为薄膜晶体管研发的主流。

在现有金属氧化物半导体的结构中，沟道刻蚀保护型结构是应用的重点，该结构的原理是：在金属氧化物半导体之上覆盖有一层刻蚀保护层，目的是在进行源漏电极刻蚀时能够保护金属氧化物半导体不受到金属刻蚀液的破坏。当采用该种结构以后，栅极引线，及栅绝缘层的刻蚀与刻蚀保护层的刻蚀，由于需要刻蚀的膜层厚度的不同，必须使用两道掩膜板工艺进行，不但工艺时间长，并且还因为在一层薄膜上两次涂覆光刻胶的缘故，导致光刻胶的残留，破坏器件特性。

发明内容

(一)所要解决的技术问题

本发明的目的在于提供一种显示装置、阵列基板及其制作方法，将栅绝缘层的刻蚀与金属氧化物半导体层的刻蚀使用同一次掩膜板工艺制备以实现缩短工艺流程，提高良率。

(二)技术方案

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

本发明一方面提供一种阵列基板，包括：基板，在基板上设有栅电极及栅线、栅绝缘层和有源层；

所述有源层为金属氧化物；

所述栅绝缘层和有源层同时形成。

优选地，所述有源层上还设有刻蚀阻挡层和源漏电极，所述刻蚀阻挡层上设有第一过孔，所述源漏电极通过第一过孔与有源层电连接。

优选地，还包括钝化层和像素电极；所述钝化层上设有第二过孔，所述像素电极通过第二过孔与漏电极连接。

优选地，所述金属氧化物为单层金属氧化物；或者，

所述金属氧化物为由多层金属氧化物组成的复合层金属氧化物。

优选地，所述单层金属氧化物为IGZO、ITZO、IZO、Cu₂O、GZO、AZO或ZnON。

再一方面，本发明还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

另一方面，本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括：

步骤S1、在基板上形成栅电极及栅线的图形；

步骤S2、通过一次构图工艺同时形成栅绝缘层和有源层的图形，其中，有源层为金属氧化物。

优选地，所述步骤S2具体包括：

沉积一层栅绝缘薄膜，

沉积一层金属氧化物半导体层，

涂覆光刻胶；

采用普通掩膜工艺进行曝光显影，其中，有源层区域为光刻胶完全保留区域，形成上述区域之外区域为光刻胶完全去除区域；

通过第一次刻蚀，去除光刻胶完全去除区域对应的金属氧化物，通过第二次刻蚀，去除光刻胶完全去除区域对应的栅绝缘薄膜；

进行光刻胶的剥离，最终形成栅绝缘层和有源层的图形。

优选地，还包括步骤S3、在有源层上形成刻蚀阻挡层和源漏电极的图形，所述刻蚀阻挡层上设有第一过孔，所述源漏电极通过第一过孔与有源层电连接。

优选地，所述步骤S3包括：

沉积一层刻蚀阻挡层；

涂覆光刻胶；

采用普通掩膜工艺进行曝光显影，其中，刻蚀阻挡层上的第二过孔区域及栅极引线区域为光刻胶完全去除区域，形成上述区域之外区域为光刻胶完全保留区域；

进行干法刻蚀，及光刻胶的剥离，形成第二过孔。

(三)有益效果

本发明提供一种显示装置、阵列基板及其制作方法，采用将半导体有源层与栅绝缘层共用一块掩模板制备，避免了光刻胶的残留，减少了工艺掩膜板数量，而且缩短了工艺时间，提高了生产效率。

附图说明

图1～图8为本发明实施例阵列基板制作步骤示意图，其中图7为图8沿A-A’方向的剖视图；

图9为本发明实施例阵列基板制作方法流程图；

其中：

1：基板；2a：栅电极；3：栅绝缘层；4a：有源层；4：金属氧化物半导体层；5：刻蚀阻挡层；6a：源电极；6b：漏电极；7：钝化层；8a：像素电极；112：第一过孔；113：第二过孔。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不是用来限制本发明的范围。