[发明专利]阵列基板及显示装置在审
申请号: | 201410277111.7 | 申请日: | 2014-06-19 |
公开(公告)号: | CN104090433A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 吕奎;范文金;向康;张新霞;郭宵;吕凤珍;王臣 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1339 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:位于所述阵列基板的边框区域内的周边线路,所述周边线路对紫外光透明。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述周边线路的形成材料为对紫外光透明的材料。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述周边线路由过氧化镓薄膜,过氧化镓、铝和过氧化镓依次层叠所形成的薄膜,过氧化镓和锡依次层叠所形成的薄膜,氧化锌基薄膜和含铝的氧化锌基薄膜中的至少一种薄膜形成。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,若紫外光的波长范围为320nm~400nm,则所述周边线路由所述过氧化镓薄膜,所述过氧化镓、铝和过氧化镓依次层叠所形成的薄膜,所述过氧化镓和锡依次层叠所形成的薄膜和所述氧化锌基薄膜中的至少一种薄膜形成。
5.根据权利要求3或4所述的阵列基板,其特征在于,当所述周边线路由所述过氧化镓、铝和过氧化镓依次层叠所形成的薄膜形成时,在先形成的过氧化镓层的厚度范围为20μm~55μm,铝层的厚度范围为10μm~20μm,在后形成的过氧化镓层的厚度范围为30μm~40μm。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述在先形成的过氧化镓层的厚度为26μm、34μm、42μm或50μm,所述铝层的厚度为15μm,所述在后形成的过氧化镓层的厚度为34μm。
7.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,若紫外光的波长大于400nm,则所述周边线路由含铝的氧化锌基薄膜形成。
8.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述周边线路的形成工艺包括化学气相淀积工艺。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~8任一项所述的阵列基板。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,还包括:
与所述阵列基板相对设置的彩膜基板,所述彩膜基板上具有黑色矩阵;
位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶;
用于密封所述液晶的封装胶,所述封装胶与所述黑色矩阵具有重叠部分。
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