[发明专利]OLED面板及其制造方法有效
申请号: | 201410277397.9 | 申请日: | 2014-06-20 |
公开(公告)号: | CN104167427B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 鲁海生;康嘉滨 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司31229 | 代理人: | 曾耀先 |
地址: | 201508 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种OLED面板,其特征在于,包括:
具有绝缘表面的基板;
位于基板表面的复数个第一像素电极;
导电的感光间隙体,位于基板表面上任意两个相邻的所述第一像素电极之间;
位于所述第一像素电极上方的有机发光层;
位于所述有机发光层上方的第二像素电极,所述第二像素电极与所述感光间隙体接触。
2.如权利要求1所述的OLED面板,其特征在于,所述第一像素电极的材质为氧化铟锡ITO。
3.如权利要求1或2所述的OLED面板,其特征在于,所述感光间隙体的材质为导电光刻胶。
4.如权利要求1所述的OLED面板,其特征在于,所述感光间隙体位于两个相邻不同颜色像素的所述第一像素电极之间。
5.如权利要求3所述的OLED面板,其特征在于,所述感光间隙体位于两个相邻不同颜色像素的所述第一像素电极之间。
6.如权利要求1所述的OLED面板,其特征在于,所述感光间隙体环绕于每一个所述第一像素电极周围。
7.如权利要求3所述的OLED面板,其特征在于,所述感光间隙体环绕于每一个所述第一像素电极周围。
8.如权利要求5所述的OLED面板,其特征在于,所述感光间隙体环绕于每一个所述第一像素电极周围。
9.如权利要求1所述的OLED面板,其特征在于,所述感光间隙体的顶端高于所述第二像素电极的上表面,所述第二像素电极与所述感光间隙体连接。
10.一种用于制造如权利要求1-9中任意一项权利要求所述的OLED面板的OLED面板制造方法,其特征在于包括以下步骤:
S1:在基板表面形成复数个第一像素电极;
S2:在基板表面涂覆导电光刻胶,利用光刻工艺在相邻的两个所述第一像素电极之间形成感光间隙体;
S3:利用掩膜在所述第一像素电极上方蒸镀有机发光层;
S4:在有机发光层上方制作第二像素电极,所述第二像素电极与所述感光间隙体接触。
11.如权利要求10所述的OLED面板制造方法,其特征在于,在基板表面涂覆导电光刻胶的方法为旋转涂覆。
12.如权利要求10所述的OLED面板制造方法,其特征在于,在基板表面涂覆导电光刻胶的方法为挤压涂覆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的