[发明专利]一种栅极独立抗噪直插式传声器

权利要求书

1.一种栅极独立抗噪直插式传声器，包括用于放大电荷变换信号的场效应管FET、用于设置场效应管FET的塑腔，以及极板，其特征在于：所述塑腔底面呈四级阶梯状并在底面两侧的台阶上铺置导电板，所述场效应管FET和塑腔之间附有一层胶水，所述场效应管FET的栅极G紧靠一侧的导电板内边沿引出，形成栅极G独立，所述极板通过胶水与场效应管FET相接；所述导电板由以下重量百分比的成分组成：Cr：16.5-17.5％，Ni：22.0-25.0％，Mo：0.8-0.9％，Ti：1.60-1.90％，Al：0.25-0.30％，C：0.05-0.08％，B：0.06-0.08％，V：0.4-0.6％，Si：1.0-1.5％，Mn：1.0-1.5％，余量为Fe及不可避免的杂质。

2.根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述导电板的组成成分和质量百分比为：Cr：17.00％，Ni：23.00％，Mo：0.85％，Ti：1.80％，Al：0.28％，C：0.06％，B：0.07％，V：0.50％，Si：1.30％，Mn：1.30％，余量为Fe及不可避免的杂质。

3.根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述导电板的组成成分和质量百分比为：Cr：16.50％，Ni：25.00％，Mo：0.80％，Ti：1.90％，Al：0.25％，C：0.08％，B：0.06％，V：0.60％，Si：1.00％，Mn：1.50％，余量为Fe及不可避免的杂质。

4.根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述导电板的组成成分和质量百分比为：Cr：17.50％，Ni：22.00％，Mo：0.90％，Ti：1.60-1.90％，Al：0.25-0.30％，C：0.05-0.08％，B：0.08％，V：0.40％，Si：1.50％，Mn：1.00％，余量为Fe及不可避免的杂质。

5.根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述导电板的加工工艺包括锻造工序和热处理：锻造工序中，始锻温度为1120℃-1160℃，终锻温度为880℃-930℃；在热处理工序中，固溶处理的温度为980℃-1050℃，保温4-6小时后空冷；时效处理温度为700-720℃，保温12-16小时后空冷。

6.根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述导电板加工工艺中始锻温度为1140℃，终锻温度为900℃。

7.根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述导电板加工工艺的热处理工序中，固溶处理的温度为1000℃，保温5小时后空冷；时效处理温度为710℃，保温14小时后空冷。

8.根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述极板的两端上对称设有音气孔，所述胶水灌注在极板表面上且覆盖住音气孔。

9.根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述胶水灌注形成中心镂空的圆柱体，并与场效应管FET相接。

10.根据权利要求1中所述的栅极独立抗噪直插式传声器，其特征在于，所述场效应管FET的源级S和漏极D引出管脚，形成直插式传声器。