[发明专利]一种栅极独立抗噪直插式传声器

说明书

技术领域

本发明涉及一种传声器，尤其涉及一种栅极独立抗噪直插式传声器。

背景技术

传声器，即麦克风，现被广泛使用的是驻极体传声器，传统的传声器底面普遍采用PCB板表面铺铜接地，且传声器中的场效应管FET安装于PCB板上，电容等其它元器件也同样安装于PCB板上，场效应管FET的栅极与金属极板相接,整个传声器通过外壳接地，从而达到屏蔽信号和减低噪声效果。

然而，传统传声器采用PCB板铺铜，实用时间一久容易造成氧化，造成传声器性能降低，抗噪能力下降，可靠性不高。

发明内容

本发明的目的在于解决传统传声器使用寿命短，抗噪能力不稳定的问题，提供一种可靠性高的栅极独立抗噪直插式传声器，包括用于放大电荷变换信号的场效应管FET、用于设置场效应管FET的塑腔，以及极板，其特征在于：所述塑腔底面呈四级阶梯状并在底面两侧的台阶上铺置导电板，所述场效应管FET和塑腔之间附有一层胶水，所述场效应管FET的栅极G紧靠一侧的导电板内边沿引出，形成栅极G独立，所述极板通过胶水与场效应管FET相接；所述导电板由以下重量百分比的成分组成：Cr：16.5-17.5％，Ni：22.0-25.0％，Mo：0.8-0.9％，Ti：1.60-1.90％，Al：0.25-0.30％，C：0.05-0.08％，B：0.06-0.08％，V：0.4-0.6％，Si：1.0-1.5％，Mn：1.0-1.5％，余量为Fe及不可避免的杂质。

本发明栅极独立抗噪直插式传声器中的导电板采用加入Mo、Ti、Al、V及微量B的综合强化合金，在A286铁基合金的基础上，添加了Si、Mn元素，并降低了Ti、Cr、Ni、Mo元素的含量，提高了Al元素的含量，还进一步限定了C、B、V元素的含量，从而提高导电板的稳定性、可靠性、耐久性，强度、韧性等综合性能。

首先，添加的1.0-1.5％的Si可以减小晶体的各向异性倾向，使磁化容易，磁阻减小，使磁滞损耗较低，提高导电板的磁导率，使导电板在较弱磁场下有较高的磁感强度。此外，含有Si的合金在氧化气氛中加热时，表面将形成一层SiO₂薄膜，从而提高导电板在高温时的抗氧化性。

添加的Mn可以和Fe形成固溶体，提高导电板合金中奥氏体的硬度和强度。且Mn稳定奥氏体组织的能力仅次于镍，加入1.0-1.5％的Mn，可降低导电板中的镍含量，从而降低生产成本。

本发明导电板采用的合金通过减少Ti含量，减轻倒V型偏析的程度，因而减小倒V型偏析对导电板的拉伸性能及低周疲劳强度的影响。如果Ti含量为1.6％，则对室温拉伸延性没有影响，当Ti含量降至1.90％以下，对室温低周疲劳强度没有影响。Ti含量的减少有利于改善导电板冲击值，还可防止长时间加热催化。因此，导电板合金中将Ti含量严格控制在1.60-1.90％。

碳化物存在于晶体内部，可以阻碍位错的移动，消耗位错滑移的能量达到强化的效果，从而提高导电板的强度。另一方面，在热处理的过程中可以阻碍晶粒的长大，从而达到细晶强化的作用。但是过多的碳化物反而会影响导电板的力学性能如塑性和冲击性，因此，本发明综合将C元素的含量控制在0.04-0.08％。

添加进去的B可溶于固溶体，使晶格变大，提高强度，晶界中硼有组织再结晶扩散的作用，可增加合金的热强性。当B含量超过0.007％时，容易使导电板变脆。而B的加入会降低奥氏体体晶粒粗化的温度，使粗晶，但与添加的铝产生协同作用即可改善。在热处理时心部易生针状铁素体而影响机械性能。B与O、N亲和力很强，易生非金属夹杂，因此需要加入Al和Ti以脱氧，并产生协同作用。

V细化晶粒作用强，可提高导电板的强度和韧性。且V与O、N都有很大的亲和力，是强碳化物元素。V与Fe固溶形成的碳化物VC，其弥散度很高，且极稳定，既有利脱氧、脱气得到致密细晶组织，又能提高塑性、韧性及高强度。由于VC的高度分散阻止焊缝晶粒粗大，所以可改善导电板的可焊性能，但加热到VC溶解温度后即会引起导电板合金钢强烈长大，因此，本发明导电板中V控制在0.4-0.6％。

此外，V、Mo等元素可以产生协同作用，具有共同细化晶粒的作用，在液相结晶过程中形成的化合物/中间相，起到类似于形核剂的作用；这些化合物、中间相又在锻造、热处理中固溶析出、钉扎，从而细化晶粒。

所述杂质为不可避免地存在和合金生产工艺所产生的元素。尤其是指N、P、S、Cu等元素。