[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供包括半导体衬底的前端器件，在所述前端器件上形成层间介电层；

步骤S102：利用第一掩膜板在所述层间介电层上形成作为切割掩膜的第一掩膜层；

步骤S103：利用第二掩膜板在所述层间介电层上形成至少一部分区域与所述第一掩膜层重叠的第二掩膜层；

步骤S104：利用所述第二掩膜层以及所述第一掩膜层对所述层间介电层进行刻蚀以形成预定图案，使得构图工艺易于控制，从而提高互连结构的良率，其中所述预定图案为所述第二掩膜层的图案减去其与所述第一掩膜层重叠的区域所对应的图案。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括：

步骤S1021：在所述层间介电层上形成第一掩膜材料层以及位于所述第一掩膜材料层之上的光刻胶层；

步骤S1022：利用第一掩膜板对所述光刻胶层进行曝光、显影处理，以形成图形化的光刻胶层；

步骤S1023：利用所述图形化的光刻胶层对所述第一掩膜材料层进行刻蚀，以形成第一掩膜层。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S103包括：

步骤S1031：形成覆盖所述层间介电层以及所述第一掩膜层的第二掩膜材料层；

步骤S1032：利用第二掩膜板对所述第二掩膜材料层进行图形化，以形成至少一部分区域与所述第一掩膜层重叠的第二掩膜层。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述第一掩膜层的材料包括氮化钛。

5.如权利要求1至4任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述步骤S101中，所述前端器件还包括位于所述半导体衬底上的栅极和有源区；

在所述步骤S102中，所述第一掩膜板覆盖相邻的有源区之间的至少一部分区域；

在所述步骤S103中，所述第二掩膜层覆盖所述层间介电层且在所述相邻的有源区的上方具有开口，其中所述开口的至少一部分区域位于所述第一掩膜层的正上方；

在所述步骤S104中，所述预定图案为位于所述第一掩膜层两侧的有源区接触孔。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中，所述前端器件还包括形成于所述半导体衬底之上的鳍型结构。

7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104之后还包括步骤S105：

在所述有源区接触孔内形成金属硅化物。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105之后还包括步骤S106：

形成覆盖所述层间介电层的第三掩膜材料层，利用第三掩膜板对所述第三掩膜材料层进行图形化以形成在所述栅极的上方具有开口的第三掩膜层(203)。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S106之后还包括步骤S107：

利用所述第三掩膜层进行刻蚀以在所述层间介电层内形成栅极接触孔，去除所述第三掩膜层。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S107之后还包括步骤S108：

在所述有源区接触孔内形成连接有源区的第一金属插塞，并在所述栅极接触孔内形成连接栅极的第二金属插塞。

11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S108包括：

步骤S1081：在所述有源区接触孔和所述栅极接触孔内同时沉积金属；

步骤S1082：通过CMP工艺去除过量的金属，以形成所述第一金属插塞和所述第二金属插塞。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1081中，所述金属包括钨。