[发明专利]一种半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：S101：提供包括半导体衬底、栅极和有源区的前端器件，形成层间介电层；S102：利用第一掩膜板在层间介电层上形成覆盖相邻有源区之间的至少部分区域的第一掩膜层；S103：利用第二掩膜板形成覆盖层间介电层且在相邻的有源区的上方具有开口的第二掩膜层，其中所述开口的至少一部分区域位于第一掩膜层的正上方；S104：利用第二掩膜层以及第一掩膜层对层间介电层进行刻蚀以形成预定图案，所述预定图案为所述第二掩膜层的图案减去其与所述第一掩膜层重叠的区域所对应的图案。该方法通过采用第一掩膜板与第二掩膜板配合来形成有源区接触孔，可以使构图工艺易于控制，有利于提高良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

在半导体技术领域中，局部互连采用相对较薄的导电层(例如氮化钛)提供集成电路中元器件之间的短距离局部互连，该导电层通常比传统的用于形成电性连接的金属具有更高的电阻。

随着半导体技术的发展，越来越多的设计限制需要被考虑，并且，在互连结构中的导线会消耗更多的空间，这将增加制造集成电路的步骤并且会降低电路在电性互连级的密度。例如，在某些半导体器件的制造方法中，由于设计的限制，可能会需要两道或三道构图工艺来实现特定图案(例如接触孔)的构图，而由于两道或三道构图工艺将用到两个或三个掩膜板，会导致相关工艺难以被很好地控制，可能出现图案交叠、图案末端成圆角等问题。

在一种半导体器件的制造方法中，在层间介电层(IL)内形成用于连接有源区(指源极和漏极)12的接触孔(简称有源区接触孔)时需要用到第一掩膜板101，形成用于连接栅极11的接触孔(简称栅极接触孔)需要用到第二掩膜板102，其原理图如图1所示。其中，该半导体器件的制造方法存在如下问题：(1)形成的接触孔的图案末端容易形成圆角(即，标号1所示的位置容易形成圆角)；(2)利用第一掩膜板形成的接触孔可能与利用第二掩膜板形成的接触孔发生桥接(即，标号2所示的位置容易发生桥接)；(3)相邻的有源区接触孔之间的距离难以很好的控制(即，标号3所示的距离比较难控制)。

在另一种半导体器件的制造方法中，在层间介电层(IL)内形成用于连接有源区22的接触孔(简称有源区接触孔)时需要用到第一掩膜板201和第二掩膜板202，形成用于连接栅极21的接触孔(简称栅极接触孔)需要用到第三掩膜板203，其原理图如图2所示。其中，该半导体器件的制造方法也存在如下问题：(1)形成的接触孔的图案末端容易形成圆角(即，标号1所指位置容易形成圆角)；(2)利用第三掩膜板形成的接触孔可能与利用第二掩膜板形成的接触孔发生桥接(即，标号2所示的位置容易发生桥接)；(3)相邻的有源区接触孔之间的距离难以很好的控制(即，标号3所示的距离比较难控制)。

由此可见，上述的半导体器件的制造方法，在进行局部互连时，在用到两道或三道构图工艺来实现对有源区接触孔以及栅极接触孔的构图时，存在工艺难以很好地控制，可能出现图案交叠、图案末端成圆角等问题，会造成制得半导体器件的良率下降。因此，为解决上述技术问题，有必要提出一种新的半导体器件的制造方法。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种新的半导体器件的制造方法，以提高制得的半导体器件的良率。

本发明实施例的半导体器件的制造方法，包括：

步骤S101：提供包括半导体衬底的前端器件，在所述前端器件上形成层间介电层；

步骤S102：利用第一掩膜板在所述层间介电层上形成作为切割掩膜的第一掩膜层；

步骤S103：利用第二掩膜板在所述层间介电层上形成至少一部分区域与所述第一掩膜层重叠的第二掩膜层；

步骤S104：利用所述第二掩膜层以及所述第一掩膜层对所述层间介电层进行刻蚀以形成预定图案，其中所述预定图案为所述第二掩膜层的图案减去其与所述第一掩膜层重叠的区域所对应的图案。