[发明专利]消隐装置、绘制装置和物品的制造方法有效
申请号: | 201410282732.4 | 申请日: | 2014-06-23 |
公开(公告)号: | CN104253025B | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 森田知之;村木真人 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 宋岩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 绘制 物品 制造 方法 | ||
1.一种消隐装置,包括:
多个消隐器,被配置成相对于物体上的目标位置分别且选择性地使多个射束消隐,所述物体相对于所述多个消隐器移动;和
驱动设备,被配置成基于彼此不同的目标剂量中的目标位置所需的一个目标剂量来驱动所述多个消隐器以使得所述多个射束中的射束的组合不被消隐以多重照射目标位置,
其中,驱动设备包括改变设备,所述改变设备被配置成能够改变所述多个射束中的要用于所述一个目标剂量的射束的组合。
2.根据权利要求1所述的装置,还包括控制器,所述控制器被配置成基于表示要用于所述一个目标剂量的射束的组合的信息来控制改变设备。
3.根据权利要求1所述的装置,其中
驱动设备包括分别对应于所述多个消隐器的多个驱动电路,并且
所述多个驱动电路中的驱动电路包括表示给所述多个消隐器中的对应于该驱动电路的消隐器的对应于所述一个目标剂量的驱动信号的信息,并被配置成基于所述一个目标剂量和所述信息来驱动消隐器。
4.根据权利要求1所述的装置,其中
所述一个目标剂量用多个比特表示,
所述多个消隐器被分配给多个组以使得所述多个组中的每个组对应于所述多个比特中的至少一个比特,
分别包含在所述多个组中的消隐器的数目根据分别与所述多个组对应的所述至少一个比特的比特位置而彼此不同,并且
改变设备被配置成能够相对于所述多个组中的每个组来改变要用于所述一个目标剂量的射束的组合。
5.根据权利要求4所述的装置,其中
驱动设备包括分别对应于所述多个消隐器的多个驱动电路,并且
所述多个驱动电路中的驱动电路包括表示给所述多个消隐器中的对应于该驱动电路的消隐器的对应于所述至少一个比特的驱动信号的信息,并被配置成基于所述至少一个比特和所述信息来驱动消隐器。
6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述一个目标剂量的阶层层级的数目小于所述多个射束中的射束的数目。
7.根据权利要求1所述的装置,其中,
物体上的一位置处的剂量由所述多个射束中的入射在所述一位置上的射束的组合来控制,并且
驱动设备被配置成驱动所述多个消隐器以使得要用于所述一个目标剂量的射束的组合入射在目标位置上。
8.根据权利要求1所述的装置,其中,所述改变设备包括多个触发器,所述多个触发器中的每个触发器输出对应于所述一个目标剂量的信号以便选择性地使所述多个射束中的对应一个射束消隐。
9.根据权利要求8所述的装置,还包括控制器,所述控制器被配置成设置所述多个触发器中的每个触发器的输出信号以使得改变设备改变要用于所述一个目标剂量的射束的组合。
10.根据权利要求1所述的装置,其中,所述改变设备被配置成能够根据所述多个射束中的每个射束的强度来改变要用于所述一个目标剂量的射束的组合。
11.一种对基板进行绘制的绘制装置,所述装置包括:
照射设备,被配置成用多个射束照射基板;和
平台,被配置成保持基板并且是能移动的,
其中,照射设备包括根据权利要求1所述的消隐装置。
12.根据权利要求11所述的装置,还包括:
检测器,被配置成检测所述多个射束中的每一个射束;和
控制器,被配置成基于来自检测器的输出来获得表示要用于所述一个目标剂量的射束的组合的信息。
13.一种物品的制造方法,所述方法包括以下步骤:
利用绘制装置对基板进行绘制;
使已经进行绘制的基板显影;以及
加工已显影的基板以制造物品,
其中,所述绘制装置对基板进行绘制,并包括:
照射设备,被配置成用多个射束照射基板;和
平台,被配置成保持基板并且是能移动的,
其中,照射设备包括消隐装置,所述消隐装置包括:
多个消隐器,被配置成相对于物体上的目标位置分别且选择性地使多个射束消隐,所述物体相对于所述多个消隐器移动;和
驱动设备,被配置成基于彼此不同的目标剂量中的目标位置所需的一个目标剂量来驱动所述多个消隐器以使得所述多个射束中的射束的组合不被消隐以多重照射目标位置,
其中,驱动设备包括改变设备,所述改变设备被配置成能够改变所述多个射束中的要用于所述一个目标剂量的射束的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造