[发明专利]消隐装置、绘制装置和物品的制造方法有效
申请号: | 201410282732.4 | 申请日: | 2014-06-23 |
公开(公告)号: | CN104253025B | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 森田知之;村木真人 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 宋岩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 绘制 物品 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及消隐(blank)装置、绘制(draw)装置和物品的制造方法。
背景技术
作为用于半导体器件等的制造工艺(光刻工艺)的一种装置,已知通过利用多个带电粒子束来对基板进行绘制的绘制装置。伴随半导体器件近来的微图案化,绘制装置需要提高绘制精度,以便高精度地在基板上的目标位置处形成图案。特别地,绘制装置需要提高在基板上形成的图案的边缘处的绘制精度。出于此目的,重要的是控制照射基板上的相应位置的带电粒子的剂量。
日本专利No.4858745已经提出这样的绘制装置,其改变多重照射(multi-irradiate)基板上的同一位置的带电粒子束的数目,从而对在该位置处的带电粒子束剂量(也被简单地称为剂量)进行阶层(gradation)控制。
日本专利No.4858745前提在于能够照射基板上的同一位置的多个带电粒子束的强度一致。然而,多个带电粒子束的强度很少一致。实际上,多个带电粒子束的强度会变化。多个带电粒子束的强度的变化可能使得难以对在基板上的相应位置处的照射剂量高精度地进行阶层控制。
发明内容
本发明例如提供一种在对物体的剂量的控制方面有利的技术。
根据本发明的一个方面,提供一种消隐装置,包括:多个消隐器,被配置成相对于物体上的目标位置分别使多个射束消隐;和驱动设备,被配置成驱动所述多个消隐器,其中,驱动设备包括改变设备,所述改变设备被配置成改变所述多个射束中的射束的组合和目标剂量之间的关系(relation)。
根据本发明的一个方面,提供一种物品的制造方法,所述方法包括以下步骤:利用绘制装置对基板进行绘制;使已经进行绘制的基板显影;以及加工已显影的基板以制造物品,其中,所述绘制装置对基板进行绘制,并包括:照射设备,被配置成用多个射束照射基板;和平台,被配置成保持基板并且是能移动的,其中,照射设备包括消隐装置,所述消隐装置包括:多个消隐器,被配置成相对于基板上的目标位置分别使多个射束消隐;和驱动设备,被配置成驱动所述多个消隐器,其中,驱动设备包括改变设备,所述改变设备被配置成改变所述多个射束中的射束的组合和目标剂量之间的关系。
参考附图,从对例证实施例的以下描述中,本发明的其它特征将变得清楚。
附图说明
图1是示出根据本发明的绘制装置的示意图;
图2是用于说明绘制装置中的基本绘制处理的示图;
图3是示出绘制装置中的消隐偏转器的布置的示意图;
图4是示出第一实施例中的消隐偏转器的布置的例子的示图;
图5是示出第二实施例中的消隐偏转器的布置的例子的示图;及
图6是示出第三实施例中的消隐偏转器的布置的例子的示图。
具体实施方式
下面将参考附图描述本发明的例证实施例。注意在附图中,相同的附图标记表示相同的部件,不再对其进行重复的描述。
<绘制装置的实施例>
将参考图1说明根据实施例的绘制装置1。图1是示出根据本实施例的绘制装置1的示意图。根据本实施例的绘制装置1可由通过用多个能量束(例如,带电粒子束)照射物体(例如,基板10)来绘制图案的绘制系统1a、和控制绘制系统1a的各个单元的控制系统1b构成。
首先将说明绘制系统1a。绘制系统1a包括用多个带电粒子束照射基板的照射单元100,和在保持基板10的同时能移动的平台11。照射单元100可包括例如带电粒子源101、准直透镜102、光阑阵列103、消隐偏转器(消隐器)104(消隐装置)、静电透镜105、电磁透镜106、物镜107和偏转器108。带电粒子束并不局限于电子束,可以是离子束等。
作为带电粒子源101,使用包括诸如LaB6或BaO/W之类的电子发射材料的热电子(热的电子)发射电子源。作为准直透镜102,例如,使用通过电场会聚带电粒子束的静电透镜。准直透镜102把由带电粒子源101发射的带电粒子束准直成平行射束,并使平行射束入射到光阑阵列103上。光阑阵列103具有多个二维排列的开口。光阑阵列103把作为平行射束入射的带电粒子束分成多个带电粒子束。使由光阑阵列103分割的多个带电粒子束入射到消隐偏转器104上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造