[发明专利]显示设备

权利要求书

1.一种显示设备，其特征在于，包括：

一基板；

一薄膜晶体管单元，设置于该基板上，且该薄膜晶体管单元包括：一栅极、一绝缘层、一半导体层、一源极及一漏极；以及

一遮光单元，设置于该基板与该薄膜晶体管单元之间，且该遮光单元包括：一遮光层及一第一缓冲层，该第一缓冲层设置于该遮光层及该薄膜晶体管单元之间；

其中，波长范围介于200nm至510nm的光线通过该遮光层的穿透率介于0至15％之间。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，在365nm至510nm的光波长下，该遮光层的折射率(n)介于4.5至6之间。

3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，在200nm至510nm的光波长下，该遮光层的消光系数(k)介于0.5至6之间。

4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，该遮光层的厚度介于120nm至400nm之间。

5.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，还包括：一有机发光二极管，设置于该薄膜晶体管单元上，且该有机发光二极管包含一发光区。

6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，该遮光层具有一开口，其对应至该发光区。

7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，在200nm至510nm的光波长下，该第一缓冲层的折射率(n)介于1至2.3之间。

8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，在200nm至510nm的光波长下，该第一缓冲层的消光系数(k)介于0至2.7之间。

9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，该遮光单元还包括：一第二缓冲层，且该遮光层设置于该第一缓冲层及该第二缓冲层之间。

10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，该遮光层的材料为非晶硅(amorphousSi)、多晶硅(Polysilicon)、结晶硅(CrystallineSi)、或其组合。

11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，该第一缓冲层的材料为氧化硅、氮化硅、氮化钛、硅化钛、氧化铝、硅化镍、或其组合。

12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，该薄膜晶体管单元是一顶栅极式(topgate)薄膜晶体管单元或一底栅极式(bottomgate)薄膜晶体管单元。

13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，该半导体层是氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、或其他金属氧化物半导体。

14.根据权利要求1所述的显示设备，其中，该半导体层是非晶硅、多晶硅、或结晶硅。

15.根据权利要求1所述的显示设备，其中，该半导体层是P13、DH4T、或五苯环的有机半导体。

16.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该显示设备为一有机发光二极管装置(OLED)或一液晶显示设备(LCD)。