[发明专利]显示设备

说明书

技术领域

本发明是关于一种显示设备，尤指一种改善薄膜晶体管单元稳定性的显示设备。

背景技术

随着显示器技术不断进步，使用者对于电子产品的要求越来越高，所有的装置均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展，因此目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成液晶显示设备(LCD)或有机发光二极管装置(OLED)。

在LCD或OLED中，由于薄膜晶体管单元(TFT)的有源层材料的能隙一般与紫外光(UV)、蓝光相近，因此，TFT对于紫外光、紫光及蓝光十分敏感，在紫外光、紫光或蓝光照射下(例如在工艺中照射紫外光、紫光或蓝光、或来自外在环境的紫外光、紫光或蓝光)，TFT中会产生额外的空穴，造成TFT中的载流子通道(channel)上包含额外的空穴，进而影响TFT电性偏移，例如阀值电压(Vth)负偏、漏电流上升等；更使OLED在暗态操作时会有漏光现象、或移位寄存器(ShiftRegister，S/R)、数据多工器(DataMux)及其他驱动电路无法正常运作等问题。

有鉴于此，目前亟需发展一种改善上述问题的显示设备，提升显示设备的显示质量并延长其使用寿命，期盼带给消费者更稳定、更高质量的显示效果。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种显示设备，以能够减少显示设备中的薄膜晶体管单元受到紫外光、紫光或蓝光影响，进而有效提升显示设备的稳定性及显示质量。

为了达成上述目的，本发明提供一种显示设备，包括：一基板；一薄膜晶体管单元，设置于该基板上，且该薄膜晶体管单元包括：一栅极、一绝缘层、一半导体层、一源极及一漏极；以及一遮光单元，设置于该基板与该薄膜晶体管单元之间，且该遮光单元包括：一遮光层及一第一缓冲层，该第一缓冲层设置于该遮光层及该薄膜晶体管单元之间；其中，波长范围介于200nm至510nm的光线通过该遮光层的穿透率介于0至15％之间。

据此，本发明利用该遮光层吸收短波长光线(例如在工艺中照射紫外光、紫光或蓝光、或来自外在环境的紫外光、紫光或蓝光)，削弱短波长光线穿透该遮光层的强度，如此一来，可有效减少短波长光线接触到薄膜晶体管单元的有源层通道，进而减少薄膜晶体管单元的电性偏移，并改善显示设备在暗态操作时的漏光现象、或移位寄存器、数据多工器及其他驱动电路无法正常运作等问题，因此，本发明的显示设备可提供更稳定、更高质量的显示效果。

附图说明

图1为本发明一优选实施例的薄膜晶体管单元示意图。

图2为本发明另一优选实施例的薄膜晶体管单元示意图。

图3为本发明再一优选实施例的薄膜晶体管单元示意图。

图4为本发明一优选实施例的显示设备示意图。

图5为本发明另一优选实施例的显示设备示意图。

图6为本发明再一优选实施例的显示设备示意图。

图7为本发明图1结构的不同波长光线的反射率和穿透率结果图。

图8为本发明图1结构于LCD的LED背光源未经过遮光层及经过遮光层后的光强度与波长的关系图。

图9为本发明图1结构的负偏压照光Stress(NBIS)试验结果图。

【符号说明】

1基板35源极

2遮光单元36漏极

21遮光层37第二保护层

211开口4液晶单元

22第一缓冲层5彩色滤光片单元

23第二缓冲层6第二基板

3薄膜晶体管单元7背光模块

31半导体层8有机发光二极管

32绝缘层81发光区

33栅极9封装单元

34第一保护层

具体实施方式

以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明也可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可针对不同观点与应用，在不悖离本发明创造的精神下进行各种修饰与变更。

[实施例1]