[发明专利]一种多面体低聚倍半硅氧烷为核具有UCST的星形杂化材料的制备方法有效
申请号: | 201410284765.2 | 申请日: | 2014-06-24 |
公开(公告)号: | CN104045778B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 袁伟忠 | 申请(专利权)人: | 南通茂林医用材料有限公司 |
主分类号: | C08F283/12 | 分类号: | C08F283/12;C08F120/60;C08F2/38;C08F8/44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多面体 低聚倍半硅氧烷 具有 ucst 星形 材料 制备 方法 | ||
1.一种多面体低聚倍半硅氧烷为核具有UCST的星形杂化材料的制备方法,其特征在于:具体步骤如下:
(1)将八羟丙基POSS溶于溶剂A中,按照八羟丙基POSS上端羟基摩尔数的1~15倍的量加入脱水剂B;
(2) 将可逆加成-断裂链转移聚合链转移剂C溶解在溶剂A中,链转移剂C加入的物质的量为八羟丙基POSS上端羟基物质的量的1~10倍,在0~40℃下将其滴加到步骤(1)所得产物的体系中,滴加时间为15~100分钟,滴加结束后,在10~60℃温度下,反应6~72小时,抽滤,将所得滤液浓缩、沉淀,真空干燥后,得到以POSS为核的可逆加成-断裂链转移聚合大分子链转移剂;
(3)将所得的可逆加成-断裂链转移聚合大分子链转移剂溶于溶剂D中,加入单体N-(3-二甲氨基丙基)甲基丙烯酰胺,单体加入的物质的量为大分子链转移剂物质的量的80-400倍,加入引发剂偶氮二异丁腈,体系在氩气或氮气保护下反应,反应温度为20~80℃,反应4~48小时,经沉淀剂E沉淀,将沉淀物过滤后烘干;
(4)将步骤(3)得到的产物溶于四氢呋喃中,加入1,3-丙磺酸内酯,在20~60℃下反应6~48小时,经过透析、冷冻干燥,得到POSS为核具有UCST的星形杂化材料。
2.根据权利要求1所述的多面体低聚倍半硅氧烷为核具有UCST的星形杂化材料的制备方法,其特征在于:所述溶剂A为四氢呋喃、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺或二甲基亚砜中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的多面体低聚倍半硅氧烷为核具有UCST的星形杂化材料的制备方法,其特征在于:所述脱水剂B为N,N-二环己基碳二亚胺、亚硫酰氯或氯磺酸中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的多面体低聚倍半硅氧烷为核具有UCST的星形杂化材料的制备方法,其特征在于:所述RAFT链转移剂C为2-(十二烷基三硫代碳酸酯基)-2-甲基丙酸、二硫代苯甲酸或3-苄基三硫酯丙酸中的某一种。
5.根据权利要求1所述的多面体低聚倍半硅氧烷为核具有UCST的星形杂化材料的制备方法,其特征在于:所述溶剂D为四氢呋喃、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺或N,N-二甲基乙酰胺中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的多面体低聚倍半硅氧烷为核具有UCST的星形杂化材料的制备方法,其特征在于:所述沉淀剂E为正己烷、环己烷、乙醚、石油醚中的一种或几种。
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