[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括步骤：

(a1)提供半导体衬底；

(b1)形成第一薄膜以覆盖所述半导体衬底的主表面的第一区域和第二区域；

(c1)处理在所述第一区域中的所述第一薄膜以形成第一图案作为在所述第一薄膜中的开口；

(d1)在以上所述步骤(c1)之后，形成光刻胶薄膜以覆盖所述第一区域，并且覆盖在所述第二区域中的所述第一薄膜的一部分；

(e1)使用所述光刻胶薄膜作为掩模执行刻蚀以处理在所述第二区域中的所述第一薄膜；以及

(f1)在以上所述步骤(e1)之后，检查所述第一图案，

其中所述第一区域的由所述第一薄膜覆盖的部分具有在平面图中比所述第一图案更大的面积。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中所述第一图案由在一个方向上延伸的一个或多个沟槽构成。

3.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中在所述步骤(f1)中，在光刻工艺中通过检查所述第一图案来调整光掩模位置。

4.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，进一步包括步骤：

(a2)在所述步骤(f1)之前，形成由嵌入在所述半导体衬底的所述主表面中的第二薄膜构成的第三图案；

其中在所述步骤(c1)中，处理覆盖所述半导体衬底的所述主表面的第三区域的所述第一薄膜以形成第二图案，并且

其中在所述步骤(f1)中，通过观察所述第三图案和所述第一图案来检查所述第二图案相对于所述半导体衬底的位置。

5.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中在所述步骤(f1)中，通过检测在所述第一薄膜和所述第一图案之间的边界正上方的所述第一薄膜的角部来检查所述第一图案。

6.根据权利要求5所述的半导体器件制造方法，其中所述第一图案是在由所述角部围绕的区域中的凹槽。

7.根据权利要求4所述的半导体器件制造方法，其中所述第二区域和所述第三区域分别是用于形成外围电路的区域和用于形成非易失性存储器的区域；

其中在所述步骤(c1)中，由所述第二图案构成的选择栅极电极通过第一栅极绝缘薄膜形成在所述半导体衬底之上；

所述方法进一步包括步骤：

(c2)在所述步骤(c1)之后，形成存储器栅极电极，所述存储器栅极电极通过包括电荷存储层的绝缘薄膜而与所述选择栅极电极的一个侧壁以及所述半导体衬底相邻，

其中在所述步骤(e1)中，通过处理在所述第二区域中的所述第一薄膜，由所述第二区域中的所述第一薄膜构成的栅极电极通过第二栅极绝缘薄膜而形成在所述半导体衬底之上。

8.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中所述第一区域是划片区域。