[发明专利]线路板高分子导电膜孔工艺及其搭配图形电镀的生产工艺

权利要求书

1.一种线路板高分子导电膜孔工艺，其特征在于，包括下述工艺步骤：

1)调整→2)促进→3)高分子聚合→4)后微蚀；

其中，

1)调整：在调整剂中浸泡以对非金属表面进行清洁和调整，所述调整剂中含有碳酸钠和氢氧化钠，且碳酸钠的浓度55～75ml/L，且控制调整剂的pH值为10.5～12.5，工作温度控制在60±3℃，作业时间控制在62±5sec；

2)促进：在促进剂中浸泡以使在步骤1)调整后的非金属表面上形成二氧化锰覆盖层，所述促进剂中含有高锰酸盐和硼酸，且促进剂中MnO₄^-浓度为80～120g/L、MnO₄^2-浓度为0～3g/L和硼酸浓度为8～19g/L，且控制促进剂的pH 值为5～7，工作温度控制在90±3℃，作业时间控制在70±5sec；

3)高分子聚合：在有机液体中浸泡以使在步骤2)形成的二氧化锰覆盖层的表面上形成高分子聚合物导电膜，所述有机液体含有有机酸和能够形成所述高分子聚合物的单体，且所述单体的浓度为8.3～13.2ml/L和有机酸的浓度为11.5～25ml/L，且控制有机液体的pH值为1.8～2.5，工作温度控制在16～22℃，作业时间控制在75±5sec；

4)后微蚀：在后微蚀药水中浸泡以对铜面进行清洁和咬蚀，所述后微蚀药水中含有过氧化氢和硫酸，且浓度为H₂O₂13～21ml/L和H₂SO₄20～30ml/L，工作温度控制在30±3℃，作业时间控制在18±5sec，咬蚀量控制在2～6μ"；

在进行步骤1)之前，需要进行微蚀步骤：在微蚀液体中浸泡以对铜表面进行清洁和微粗糙，所述微蚀液体中含有过硫酸钠和硫酸，且浓度为Na₂S₂O₈ 30～70g/L和H₂SO₄ 30～50ml/L，且控制微蚀液体中铜离子浓度＜20g/L，工作温度控制30±3℃，作业时间控制在55±5sec。

2.如权利要求1所述的线路板高分子导电膜孔工艺，其特征在于，在所述微蚀步骤和步骤1)之间，需要进行酸洗步骤：采用硫酸溶液进行酸洗，所述硫酸溶液中含有H₂SO₄ 2～5％(体积百分比)，工作温度控制在30±3℃，作业时间控制在49±5sec。

3.如权利要求1所述的线路板高分子导电膜孔工艺，其特征在于，步骤2)中的高锰酸盐为高锰酸钠。

4.如权利要求1所述的线路板高分子导电膜孔工艺，其特征在于，步骤3)中的所述单体为噻吩。

5.如权利要求1所述的线路板高分子导电膜孔工艺，其特征在于，步骤1)和步骤2)中的所述非金属表面是指玻璃纤维表面和树脂表面。

6.如权利要求1所述的线路板高分子导电膜孔工艺，其特征在于，步骤1)至步骤4)，每个步骤之后皆需进行三道水洗。

7.如权利要求2所述的线路板高分子导电膜孔工艺，其特征在于，所述微蚀步骤之后需进行三道水洗，所述酸洗步骤之后需进行三道水洗。

8.如权利要求1所述的线路板高分子导电膜孔工艺，其特征在于，在进行微蚀步骤之前进行除胶渣。

9.一种线路板高分子导电膜孔后直接图形电镀生产工艺，其特征在于，包括如权利要求1所述的高分子导电膜孔工艺，且按下述步骤进行：

除胶渣→高分子导电膜孔工艺→贴膜→线路曝光→显影→垂直连续电镀→快速蚀刻→自动光学检测→棕化后塞→压合。