[发明专利]软磁性靶材

说明书

本申请是申请号：200710091791.3，申请日：2007.04.11，发明名称：“软磁性靶材”的申请的分案申请。

这里参照2006年4月14日申请的日本专利申请第2006－112504号，此全部公开内容据此参照包括在本说明书的公开内容中。

技术领域

本发明涉及一种用于通过溅射法成形软磁性薄膜的Fe－Co系或Fe－Ni系靶材。

背景技术

近年来，磁记录技术的进步显著，为了驱动器的大容量化，磁记录介质的高记录密度化得到推进。然而，在现在世间广泛使用的面内磁记录方式的磁记录介质中，若想实现高记录密度化，则需记录比特(bit)微细化，要求由记录比特几乎无法记录的高矫顽磁力。因此，作为解决这些问题以使记录密度提高的方法，研究了垂直磁记录方式。

所谓垂直磁记录方式，就是相对于垂直磁记录介质的磁性膜中的介质面，使易磁化轴在垂直方向上取向的方式形成，以适于高记录密度的方法。于是，在垂直磁记录方式中，开发有具有提高了记录灵敏度的磁记录膜层和软磁性膜层的两层记录介质。该磁记录膜层一般采用CoCrPt－SiO₂系合金。

另一方面，作为两层记录介质的软磁性膜，提出有使用Fe－Co－B系合金的软磁性膜，例如，如特开2004－346423号公报中所公开的，提出了Fe－Co－B系合金靶材，其在剖面微组织中没有硼化物相存在的区域中描绘的最大内接圆的直径为30μm以下。

在上述的软磁性膜的成膜中，一般使用磁控管溅射(magnetron sputtering)法。所谓此磁控管溅射法，就是在靶材的背后配置磁铁，在靶材的表面使磁通漏泄，通过使该漏泄磁通区域收集等离子体而形成高速成膜的溅射法。此磁控管溅射法以在靶材的的溅射表面漏泄磁通为特征，因此在靶材自身的导磁率高时，靶材的溅射表面就难以形成磁控管溅射法中必要的充分的漏泄磁通。因此，从必须极力降低靶材自身的导磁率这样的要求出发，提出了特开2004－346423号公报。

然而，上述中的靶材制品的厚度的界限在5mm左右，若厚度在此之上，则靶材表面未出现充分的泄漏磁通，因此有无法进行正常的磁控管溅射这样的问题。另外，作为磁控管溅射用所使用的靶材的膜时，由于要求有高磁通密度，所以优选以Fe为基础的材料，但是这时有耐腐蚀性方面的课题，另外，由于靶材的氧化，膜的品质会劣化，溅射时在氧化部发生异常放电而有溅射不良的情况。

发明内容

本发明者们此番得到的发现如下：通过在饱和磁通密度大的Fe－Co系合金或Fe－Ni系合金中添加0.2～5原子％的Al或Cr，从而得到不会使磁特性劣化，能够使耐气候性提高的软磁性靶材软磁性靶材。这里，所谓耐气候性指的是在使用组装室内的电子元件的机器的环境下的耐气候性能。

因此，本发明的目的在于，提供一种不会使磁特性劣化，并使耐气候性提高的软磁性靶材。

即，本发明的第一方式的软磁性靶材，由Fe:Co的原子比为100:0～20:80的Fe－Co系合金构成，所述合金还含有0.2～5原子％的Cr。

另外，本发明的第二方式的软磁性靶材，由Fe:Ni的原子比为100:0～20:80的Fe－Ni系合金构成，所述合金还含有0.2～5原子％的Cr。

具体实施方式

以下，就本发明中的成分组成的限定理由进行详细说明。

即，本发明的第一方式的软磁性靶材，由Fe:Co的原子比(at比)为100:0～20:80的Fe－Co系合金构成，本发明的第二方式的软磁性靶材，

由Fe:Ni的原子比(at比)为100:0～20:80的Fe－Ni系合金构成。此Fe－Co系或Fe－Ni系合金为饱和磁通密度大的合金系，被作为垂直磁记录膜使用。这里，之所以使Fe:Co或Fe:Ni的原子比处于上述范围内，是因为若Co或Ni相对于Fe来说超过80％，则磁特性劣化。还有，Fe和Co的含量以及Fe和Ni的含量，是从100原子％减去后述的Al、Cr和B等的含量的值。

本发明的第一及第二方式的软磁性靶材的合金，还含有0.2～5原子％(at％)Al或Cr的1种或2种，优选含有0.5～3原子％。Al或Cr的1种或2种低于0.2原子％时，耐气候性的改善效果不充分，另外若超过5原子％，则磁特性的劣化变大而不为优选。