[发明专利]在引线上制备凸点的方法有效
申请号: | 201410290447.7 | 申请日: | 2014-06-24 |
公开(公告)号: | CN104037095B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 刘文龙 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人: | 曹祖良,刘海 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线 制备 方法 | ||
1.一种在引线上制备凸点的方法,其特征是,包括以下工艺步骤:
(1)在制作好内层图形的基板(1)的表面制作外层种子层(2);
(2)在外层种子层(2)上制作外层图形;制作好外层图形的基板(1)表面有一根电镀引线(4),基板(1)中心区域为凸点制作区域,在凸点制作区域分布连接凸点的引线(3);所述电镀引线(4)的一端与凸点制作区域相连,另一端延伸至基板(1)的边缘;
(3)外层种子层的去除:去除基板(1)中心凸点制作区域以外、暴露于基板(1)表面的外层种子层,在基板(1)中心区域的凸点制作区域保留局部种子层(6),局部种子层(6)与电镀引线(4)相连接;
(4)绿油层的制备:在基板(1)的上表面制作绿油层(5),再将基板(1)中心区域凸点制作区域的绿油层(5)去除;
(5)凸点的光刻:在步骤(4)得到的基板(1)的表面贴多层感光性干膜,感光性干膜的总厚度大于所需制备的凸点的高度;贴膜后进行光刻,在局部种子层(6)的区域形成多个通孔(8),通孔(8)分别位于连接凸点的引线(3)的两端;
(6)在步骤(5)形成的通孔(8)中进行电镀铜金属,形成凸点(9);
(7)电镀完成后去除感光性干膜和暴露于外部的局部种子层(6),完成在引线上制备凸点。
2.如权利要求1所述的在引线上制备凸点的方法,其特征是:所述基板(1)采用PCB板、铝基板、陶瓷基板或玻璃基板。
3.如权利要求1所述的在引线上制备凸点的方法,其特征是:所述局部种子层(6)的材质为铜。
4.如权利要求1所述的在引线上制备凸点的方法,其特征是:所述步骤(5)中,感光性干膜的感光性从上至下依次递增。
5.如权利要求1所述的在引线上制备凸点的方法,其特征是:所述外层种子层(2)的材质为铜。
6.如权利要求1所述的在引线上制备凸点的方法,其特征是:所述步骤(4)中,绿油层在凸点制作区域的开窗大于局部种子层(6)的尺寸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造