[发明专利]基于电荷陷阱的存储器

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

大致垂直结构，所述大致垂直结构至少包括在大致垂直的开口内形成的电介质层、电荷陷阱层、穿隧氧化物层及硅外延部分，所述开口在平面堆叠中形成，所述平面堆叠由导电材料及绝缘材料的交替层而形成，其中所述电荷陷阱层与所述外延硅部分的大致垂直的表面直接接触，所述外延硅部分具有从所述外延硅部分的顶部延伸到所述外延硅部分的底部的高度，所述电介质层覆盖所述大致垂直的开口的侧壁，且所述外延硅部分的侧壁分别由所述穿隧氧化物层和所述电荷陷阱层覆盖，且其中所述电荷陷阱层的一部分填充所述穿隧氧化物层与所述电介质层之间的间隙。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电荷陷阱层包括硅氮化物。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述大致垂直结构填充所述开口的一部分，且所述电荷陷阱层的一部分安置于所述穿隧氧化物层与所述电介质层之间。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括电耦合至所述外延硅部分的位线触点。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括电耦合至所述外延硅部分的源极触点。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中包含在导电材料及绝缘材料的所述交替层中的层包括所述存储器装置的字线。

7.一种存储器装置，其包括：

多个存储器单元，其中所述多个存储器单元中的每一存储器单元包括电荷陷阱存储器单元，其中所述电荷陷阱存储器单元包含：

大致垂直结构，所述大致垂直结构至少包括在大致垂直的开口内形成电介质层、电荷陷阱层、穿隧氧化物层及外延硅部分，所述开口在平面堆叠中形成，所述平面堆叠由导电材料及绝缘材料的交替层而形成，其中所述电荷陷阱层与所述外延硅部分的大致垂直的表面直接接触，所述外延硅部分具有从所述外延硅部分的顶部延伸到所述外延硅部分的底部的高度，所述电介质层覆盖所述大致垂直的开口的侧壁，且所述外延硅部分的侧壁分别由所述穿隧氧化物层和所述电荷陷阱层覆盖，且其中所述电荷陷阱层的一部分填充所述穿隧氧化物层与所述电介质层之间的间隙。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述电荷陷阱层的一部分安置于所述穿隧氧化物层与所述电介质层之间。

9.根据权利要求7所述的存储器装置，其进一步包括：

电耦合至所述外延硅部分的第一端的位线触点；及

电耦合至所述外延硅部分的第二端的源极触点。

10.一种存储器系统，其包括：

处理器；及

耦合至所述处理器的存储器设备，其中所述存储器设备包括一个或多个电荷陷阱存储器单元，其中所述电荷陷阱存储器单元中的至少一者包含：

大致垂直结构，所述大致垂直结构至少包括在大致垂直的开口内形成的电介质层、电荷陷阱层、穿隧氧化物层及外延硅部分，所述开口在平面堆叠中形成，所述平面堆叠由导电材料及绝缘材料的交替层而形成，其中所述电荷陷阱层与所述外延硅部分的大致垂直的表面直接接触，所述外延硅部分具有从所述外延硅部分的顶部延伸到所述外延硅部分的底部的高度，所述电介质层覆盖所述大致垂直的开口的侧壁，且所述外延硅部分的侧壁分别由所述穿隧氧化物层和所述电荷陷阱层覆盖，且其中所述电荷陷阱层的一部分填充所述穿隧氧化物层与所述电介质层之间的间隙。

11.根据权利要求10所述的系统，其中所述电荷陷阱层包括硅氮化物。