[发明专利]基于电荷陷阱的存储器

说明书

分案申请

本发明专利申请是申请日为2010年8月25日，申请号为201080042884.7，以及发明名称为“基于电荷陷阱的存储器”的发明专利申请案的分案申请。

相关申请案交叉参考

本专利申请案主张来自2009年8月26日提出申请的第12/548,193号美国申请案的优先权权益，所述美国申请案以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明关于基于电荷陷阱的存储器。

背景技术

非易失性半导体存储器(NVSM)广泛用许多电子装置中，例如个人数字助理(PDA)、膝上型计算机、移动电话、数码相机等等。这些存储器中的一些存储器在电荷陷获的基础上操作。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种存储器装置，其包括：大致垂直结构，所述大致垂直结构至少包括电介质、电荷陷阱、穿隧氧化物及硅部分，所述大致垂直结构在开口内形成，所述开口在平面堆叠中形成，所述平面堆叠包括导电材料及绝缘材料的交替层，其中所述电荷陷阱与所述硅部分的一部分直接接触。

本发明的另一目的在于提供一种存储器装置，其包括：多个存储器单元，其中所述多个存储器单元中的每一存储器单元包括电荷陷阱存储器单元，其中所述电荷陷阱存储器单元包含：大致垂直结构，所述大致垂直结构至少包括电介质、电荷陷阱、穿隧氧化物及硅部分，所述大致垂直结构在开口内形成，所述开口在平面堆叠中形成，所述平面堆叠包括导电材料及绝缘材料的交替层，其中所述电荷陷阱与所述硅部分的一部分直接接触。

本发明的又一目的在于提供一种存储器系统，其包括：处理器；及耦合至所述处理器的存储器设备，其中所述存储器设备包括电荷陷阱存储器单元，其中所述电荷陷阱存储器单元中的至少一者包含：大致垂直结构，所述大致垂直结构至少包括电介质、电荷陷阱、穿隧氧化物及硅部分，所述大致垂直结构在开口内形成，所述开口在平面堆叠中形成，所述平面堆叠包括导电材料及绝缘材料的交替层，其中所述电荷陷阱与所述硅部分的一部分直接接触。

附图说明

在附图的各图中以举例方式而非限制方式图解说明一些实施例，附图中：

图1是根据本发明的各种实施例的基于电荷陷阱的存储器单元的一部分的横截面图；

图2是图解说明根据本发明的各种实施例的图1的基于电荷陷阱的存储器单元的俯视图；

图3是图解说明根据本发明的各种实施例其中可形成图1的基于电荷陷阱的存储器单元的导电及绝缘材料交替层的堆叠的三维(3D)视图；

图4是图解说明根据本发明的各种实施例在垂直开口的壁上形成第一层之后的图3的过程中堆叠的横截面图；

图5是图解说明根据本发明的各种实施例在第一层上形成第二层之后的图4的过程中堆叠的横截面图；

图6是图解说明根据本发明的各种实施例在用外延硅填充垂直开口的剩余部分并移除牺牲层之后的图5的过程中堆叠的横截面图；

图7是图解说明根据本发明的各种实施例在形成穿隧氧化物层之后的图6的过程中堆叠的横截面图；

图8是图解说明根据本发明的各种实施例在形成用于移除外延硅的部分的掩模之后的图7的过程中堆叠的横截面图；

图9是图解说明根据本发明的各种实施例用于编程图1的基于电荷陷阱的存储器单元的各种触点的连接的3D视图；

图10是图解说明根据本发明的各种实施例形成图1的基于电荷陷阱的存储器单元的方法的流程图；

图11是图解说明根据本发明的各种实施例形成图1的基于电荷陷阱的存储器单元的方法的流程图；且

图12是图解说明根据本发明的各种实施例的系统的图示。

具体实施方式

现在将描述3D基于电荷陷阱的存储器单元的实例性结构及其制作方法的实施例。在以下描述中，出于解释目的，阐述了具有实例特有细节的众多实例以提供对实例性实施例的透彻理解。然而，所属领域的技术人员将显而易见，也可在没有这些实例特有细节的情况下实践本发明实例。

实例性实施例可包含在由导电及绝缘材料交替层形成的平面堆叠中形成大致垂直开口(下文中称作“垂直开口”)。虽然在此文档的整个剩余部分中使用术语“垂直开口”，但应注意此做法仅是为了方便起见。因此，可使用更广泛术语“大致垂直开口”代替每一实例中的术语“垂直开口”。