[发明专利]一种芯片背面裸露的扇出型封装结构及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种芯片背面裸露的扇出型封装结构及制造方法。

背景技术

随着大规模集成电路的发展，线路越来越细，22nm技术已经进入量产，线路的细化，导致对于设备和工艺提出了前所未有的挑战。为提高单位面积上的芯片密度和信号处理能力。随着线路线宽尺寸不断减小，信号处理能力的增强，芯片尺寸不断减小，芯片输入输出的管脚数量越来越多，即芯片I/O数量增加，单个芯片的大量I/O数量导致，单个芯片电极尺寸也不断减小。而基板的电极尺寸受到加工的限制无法做到同样的尺寸，芯片表面的金属电极的大小和间距都很小，因此无法进行后续封装所必须的植球等工作，因此，在芯片和基板进行键合前，将晶圆进行重构，将芯片埋入一个重构的晶圆中，增大芯片见得距离，在重构晶圆的更大表面上，通过再布线将芯片表面的小电极进行扇出形成能能够符合基板制造要求的电极排布结构，再在重构晶圆上进行凸点加工和切割形成，能够进行封装加工的扇出结构单元，这就是所谓的fan-out技术，即芯片扇出技术。

常规的芯片扇出技术采用晶圆级封装方法制造，首先将切割好的芯片在一个涂覆一层临时键合胶的表面进行贴装，再塑封，将芯片塑封在树脂中，形成晶圆形状的一面嵌入芯片的树脂结构，将承载板和树脂结构分离，在有芯片一侧进行再布线，形成具有电极扇出结构的重构晶圆。此时的树脂结构与常规硅晶圆结构相似，外形尺寸相同，只是芯片面的芯片电极通过再布线层线路将芯片表面的高密度金属电极分散到一个更大的平面上，形成一些能够和PCB电极尺寸相当的电极排布，形成重构晶圆结构，经过凸点加工和切割就形成形成芯片扇出结构，以便形成后续的扇出单元与PCB或基板的封装键合。

但是，本领域的技术人员通过研究发现现有技术中存在如下不足：

这种封装结构和制造方法制造成本比较高，芯片贴装后，树脂填充需要制造高精度的塑封模具，由于塑封模具制作成本高昂，导致这个制作成本高昂。

发明内容

本发明实施例提供一种芯片背面裸露的扇出型封装结构及制造方法，用于解决现有技术中需要使用高精度、高成本的塑封模具导致成本高的技术问题，具有无须使用高精度模具、成本低的技术效果。

本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：

一种芯片背面裸露的扇出型封装结构，所述结构包括：芯片；再布线层，所述芯片设置在所述再布线层的第一面上，其中所述芯片距离所述再布线层具有第一距离；限高块，所述限高块设置在所述再布线层的第一面上，其中所述限高块距离所述再布线层具有第二距离；凸点，所述凸点设置在所述再布线层的第二面上，其中所述第一面与所述第二面为相反的面；其中，所述再布线层、所述限高块、所述芯片构成了第一空间，且所述第一空间内填充树脂；其中，所述第二距离等于所述第一距离。

进一步的，所述再布线层具体为一层结构或者多层结构。

进一步的，所述再布线层包括绝缘层和线路层。

进一步的，所述芯片还包括：金属散热件，所述金属散热件键合在所述芯片背面。

本申请通过本申请的一实施例还提供另一技术方案：

一种芯片背面裸露的扇出型封装结构的制造方法，所述方法包括：将芯片和限高块贴在承载板的临时键合胶表面；将塑封板覆盖在芯片和限高块上；将树脂填充到第一空间内，并固化形成整体结构；去掉所述塑封板；去掉承载板和临时键合胶；制作再布线层。

进一步的，所述方法还包括：植入凸点。

进一步的，所述方法还包括：切割形成扇出封装结构。

进一步的，所述方法还包括：采用流动性好的液体树脂在低温填充的方式填充树脂，然后固化。

进一步的，在所述将塑封板覆盖在芯片和限高块上之后，还包括：采用高温下流动性好的树脂进行树脂的填充灌封，然后固化。

本发明实施例的有益效果如下：

本发明一实施例提供的一种芯片背面裸露的扇出型封装结构及制造方法，所述结构包括芯片、再布线层、限高块、凸点，其中，所述芯片设置在所述再布线层的第一面上，其中所述芯片距离所述再布线层具有第一距离；所述限高块设置在所述再布线层的第一面上，其中所述限高块距离所述再布线层具有第二距离；凸点，所述凸点设置在所述再布线层的第二面上，其中所述第一面与所述第二面为相反的面；其中，所述再布线层、所述限高块、所述芯片构成了第一空间，且所述第一空间内填充树脂；其中，所述第二距离等于所述第一距离。本发明通过使用限高块而不必使用高精度塑封模具，具有大幅度降低封装制造和加工成本的技术效果。