[发明专利]一种低功耗高PSRR带隙基准源

权利要求书

1.一种低功耗高PSRR带隙基准源，其特征在于，包括：第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第四P沟道场效应管、第五P沟道场效应管、第六P沟道场效应管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和电压反馈电路；

所述第一P沟道场效应管、所述第二P沟道场效应管、所述第四P沟道场效应管和所述第五P沟道场效应管组成电流镜，且所述第一电阻和所述第二电阻的阻值相等；

所述第一P沟道场效应管的栅极、所述第二P沟道场效应管的栅极、所述第三P沟道场效应管的栅极分别相连，且与所述第四P沟道场效应管的漏极相连；

所述第四P沟道场效应管的栅极、所述第五P沟道场效应管的栅极、所述第六P沟道场效应管的栅极分别相连，且与所述第一电阻和所述第三电阻的连接节点相连；

所述第一P沟道场效应管的漏极与所述第四P沟道场效应管的源极相连，所述第二P沟道场效应管的漏极与所述第五P沟道场效应管的源极相连，所述第三P沟道场效应管的漏极与所述第六P沟道场效应管的源极相连；

所述第四P沟道场效应管的漏极依次通过所述第一电阻、所述第三电阻与所述第一双极型晶体管的发射极相连；

所述第五P沟道场效应管的漏极通过所述第二电阻与所述第二双极型晶体管的发射极相连；

所述第六P沟道场效应管的漏极通过所述第四电阻与所述第二双极型晶体管的发射极相连，且所述第六P沟道场效应管的漏极与电压输出端相连；

所述第一双极型晶体管的基极与所述第二双极型晶体管的基极相连并接地，所述第一双极型晶体管的集电极与所述第二双极型晶体管的集电极相连并接地；

所述电压反馈电路的电压反馈输入端与所述第五P沟道场效应管的漏极相连，电压反馈输出端分别与所述第一P沟道场效应管的源极、所述第二P沟道场效应管的源极和所述第三P沟道场效应管的源极相连；所述电压反馈电路用于根据所述第五P沟道场效应管的漏极电压确定输出反馈电压，控制所述第四P沟道场效应管的漏极电压与所述第五P沟道场效应管的漏极电压相等。

2.根据权利要求1所述的低功耗高PSRR带隙基准源，其特征在于，所述第一P沟道场效应管的宽长比与所述第三P沟道场效应管的宽长比的比值为1:N，所述第一双极型晶体管与所述第二双极型晶体管的发射极面积之比为M:1；

所述电压输出端的输出电压为：

$VBG=V_{be2}+\frac{R_4}{R_3}\×N\×\ln \[M(N+1)\]\×V_T;$

其中，V_be2为第二双极型晶体管的基极-发射极电压，V_T为热电压，R₃为第三电阻的阻值，R₄为第四电阻的阻值。