[发明专利]一种神农香菊的离体培养方法有效

专利信息
申请号: 201410298286.6 申请日: 2014-06-26
公开(公告)号: CN104094845A 公开(公告)日: 2014-10-15
发明(设计)人: 梁宏伟;廖明尧;王长兰;王玉宇;杨敬元;杨林森;王静 申请(专利权)人: 三峡大学;湖北神农架国家级自然保护区管理局
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 史霞
地址: 443002 湖北省宜昌*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 神农 培养 方法
【权利要求书】:

1.一种神农香菊的离体培养方法,以经灭菌的带芽点幼嫩茎段为外植体,经过丛生芽的诱导、壮苗培养、生根、炼苗和移栽后获得神农香菊再生植株,其中:

所述带芽点幼嫩茎段在灭菌前进行清洗,所述清洗步骤为:使用浓度为0.2-0.8%的洗洁精溶液浸泡20-40min,之后刷洗,再用水冲洗1-2h;

所述壮苗培养和生根培养时均在其培养基中加入了野古草提取液和活性炭;

所述壮苗培养步骤中使用的壮苗培养基为,在MS基本培养基的基础上添加了活性炭、野古草提取液、6-苄基腺嘌呤和α-萘乙

2.如权利要求1所述的神农香菊离体培养方法,其特征在于,所述壮苗培养基中6-苄基腺嘌呤的浓度为0-2.0mg/L,α-萘乙酸的浓度为0-2.0mg/L,活性炭的浓度为0.2-0.8%,野古草上清液的浓度为5-10%;

所述野古草上清液的制备方法为按照1g野古草干燥粉末加入5ml蒸馏水的比例浸提,4℃下静置20h后,将所述0.2g/ml的提取物冷冻离心提取,得野古草上清液。

3.如权利要求2所述的神农香菊离体培养方法,其特征在于,所述壮苗培养包括以下步骤:将所述丛生芽诱导培养获得的丛生芽接种到所述壮苗培养基上,在温度25±2℃,光照时间12-16h/天,光照强度2000-2500lux的条件下进行培养20-60天。

4.如权利要求1所述的神农香菊离体培养方法,其特征在于,所述生根培养包括以下步骤:将所述壮苗培养步骤获得的丛生芽分离出单株转接到生根培养基上,在温度25±2℃,光照时间12-16h/天,光照强度2000-2500lux条件下诱导生根,在5天后开始,每天进行一次声波刺激,时间30-60min,持续10-15天,所用声波的频率为1000Hz,声强为100dB;20-30天培养发育得再生植株;所述生根培养基为添加了野古草提取液和活性炭的1/2MS培养基或者添加了活性炭的1/4-3/4MS培养基。

5.如权利要求1所述的神农香菊离体培养方法,其特征在于,所述丛生芽诱导培养包括以下步骤:将经灭菌的带芽点幼嫩茎段剪切成带单个芽点的短茎段接种到丛生芽诱导培养基上,在温度25±2℃,光照时间12-16h/天,光照强度2000-2500lux条件下培养10-15天;

所述丛生芽诱导培养基为,在MS基本培养基的基础上添加0-2.0mg/L的6-苄基腺嘌呤、0-2.0mg/L的α-萘乙酸。

6.如权利要求1所述的神农香菊离体培养方法,其特征在于,所述炼苗步骤具体包括:经生根培养获得的再生植株长出6-8cm时,逐渐打开瓶盖,使再生植株与自然空气接触,在20-25℃下炼苗5-10天。

7.如权利要求6所述的神农香菊离体培养方法,其特征在于,在所述炼苗步骤之后进行移栽,即将经过炼苗的再生植株移栽到沙土和椰蓉的混合基质中栽植,得到神农香菊成活再生植株,所述沙土和椰蓉的混合比例为1∶0.25-1。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三峡大学;湖北神农架国家级自然保护区管理局,未经三峡大学;湖北神农架国家级自然保护区管理局许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410298286.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top