[发明专利]一种石墨烯薄膜的图形化方法在审
| 申请号： | 201410298301.7 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104051239A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 潘洪亮;崔华亭;史浩飞;余崇圣;张为国;钟达 | 申请（专利权）人： | 重庆墨希科技有限公司;中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 401329 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 薄膜 图形 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨烯薄膜的图形化方法，其特征在于：在臭氧环境中用紫外线透过石墨烯掩膜板对石墨烯薄膜进行图形化。
2.根据权利要求1所述石墨烯薄膜的图形化方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
1)、制备石墨烯薄膜并转移到衬底上；
2)、制作石墨烯掩膜板；
3)、将石墨烯掩膜板和石墨烯薄膜放置在臭氧环境中；
4)、图形化：紫外线透过掩膜板到达石墨烯薄膜表面对其进行图形化。
3.根据权利要求2所述石墨烯薄膜的图形化方法，其特征在于：步骤1采用CVD法在金属薄膜上生长石墨烯薄膜，所述金属薄膜为铜箔、铝箔或镍箔。
4.根据权利要求2所述石墨烯薄膜的图形化方法，其特征在于：步骤1所述衬底为玻璃、PET薄膜、Si、SiO2或P3N4。
5.根据权利要求2所述石墨烯薄膜的图形化方法，其特征在于：所述石墨烯掩膜板为石英玻璃掩膜板或镂空的锡箔纸掩膜板。
6.根据权利要求1或2所述石墨烯薄膜的图形化方法，其特征在于：所述紫外线波长为150nm—300nm。
7.根据权利要求1或2所述石墨烯薄膜的图形化方法，其特征在于：所述臭氧环境中压力为常压。
8.根据权利要求1或2所述石墨烯薄膜的图形化方法，其特征在于：图形化时紫外线照射时间为10min-120min，紫外线强度为20-100mW/cm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
