[发明专利]磁传感器

说明书

技术领域

本发明涉及磁传感器，尤其是涉及包含磁阻元件的磁传感器。

背景技术

作为公开有实现磁场检测的各向同性的提高的磁传感器的在先文献，具有日本特开平11-274598号公报(专利文献1)、日本特开平9-102638号公报(专利文献2)、国际公开第2013/171977号(专利文献3)、日本特开2012-88225号公报(专利文献4)以及日本特开2013-250182号公报(专利文献5)。

在专利文献1记载的磁传感器中，磁阻元件的图案呈螺旋状。螺旋状的图案的两端部各自形成在位于相反侧的最外部。磁阻元件的图案实质上仅由弯曲部形成。

在专利文献2记载的磁传感器中，磁阻元件呈漩涡状卷绕多卷而成为圆形状，并且相对于外部磁场而等方位地成膜形成。

在专利文献3记载的磁传感器中，桥接电路的多个磁阻元件各自整体形成为电连接的弯弯曲曲状，其中，沿着与磁场检测方向实质正交的方向的多根部分以规定间隔平行排列，以依次折回的方式连结，并且上述多根部分分别以沿着磁场检测方向的多根部分以规定间隔平行排列且依次折回的方式连结。

专利文献4记载的磁传感器通过作为直径不同的半圆弧状的图案连续相连的形状的两个磁阻元件以并联的方式连接而构成。

在专利文献5记载的磁传感器中，正八边形的第一传感检测部的中心与正八边形的第二传感检测部的中心一致，在第二传感检测部的外侧配置有第一传感检测部。第二传感检测部的第二磁阻元件的线状的布局相对于第一传感检测部的第一磁阻元件的线状的布局倾斜22.5°。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-274598号公报

专利文献2：日本特开平9-102638号公报

专利文献3：国际公开第2013/171977号

专利文献4：日本特开2012-88225号公报

专利文献5：日本特开2013-250182号公报

发明的概要

发明要解决的课题

在专利文献1、2中，对于使用多个磁阻元件构成磁传感器的情况没有记载及启示。在专利文献3～5记载的磁传感器中，对于磁场检测的各向同性具有能够进一步提高的余地。

发明内容

本发明是鉴于上述的问题点而作出的，其目的在于提供一种提高磁场检测的各向同性的磁传感器。

用于解决课题的手段

基于本发明的磁传感器是具备彼此电连接而构成桥接电路的多个磁阻元件的磁传感器。多个磁阻元件包含多个第一磁阻元件以及多个第二磁阻元件。多个第一磁阻元件各自的阻值变化率大于多个第二磁阻元件各自的阻值变化率。多个第一磁阻元件在俯视下分别具有双重旋涡状图案。双重旋涡状图案包含一方的旋涡状图案、另一方的旋涡状图案以及将一方的旋涡状图案与另一方的旋涡状图案在双重旋涡状图案的中央部连结的S字状图案或者反S字状图案。多个第一磁阻元件各自以S字状图案或者反S字状图案的朝向彼此不同的方式，使双重旋涡状图案在周向上的朝向不同。

在本发明的一方式中，磁传感器作为多个第一磁阻元件而包含两个第一磁阻元件。两个第一磁阻元件各自以S字状图案或者反S字状图案的朝向彼此相差90°的方式，使双重旋涡状图案在周向上的朝向相差90°。

在本发明的一方式中，双重旋涡状图案在一方的旋涡状图案以及另一方的旋涡状图案的外周部分别具有双重旋涡状图案的长度调整用冗长部。长度调整用冗长部通过一方的旋涡状图案以及另一方的旋涡状图案各自弯曲且折回而构成。在一方的旋涡状图案上设置的长度调整用冗长部与在另一方的旋涡状图案上设置的长度调整用冗长部在双重旋涡状图案的径向上彼此位于相反侧。

在本发明的一方式中，多个第二磁阻元件分别包含具有多个曲部且折回的至少一个单位图案。单位图案不包含10μm以上长度的直线状延伸部。

在本发明的一方式中，单位图案在多个曲部处分别折曲。

在本发明的一方式中，单位图案在多个曲部处分别弯曲。

在本发明的一方式中，多个第二磁阻元件分别包含多个单位图案。多个单位图案配置在假想圆上且彼此连接。

在本发明的一方式中，多个第二磁阻元件分别包含多个单位图案。多个单位图案配置在假想多边形上且彼此连接。

在本发明的一方式中，多个第二磁阻元件分别包含多个单位图案。多个单位图案配置在假想直线上且彼此连接。

发明效果

根据本发明，能够提高磁场检测的各向同性。

附图说明