[发明专利]触控装置有效
申请号: | 201410301580.8 | 申请日: | 2014-06-27 |
公开(公告)号: | CN105320318B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 高国峯;林胜文;巫柏毅;吴湘婷 | 申请(专利权)人: | 宸盛光电有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军 |
地址: | 中国香港铜锣湾希慎道*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感应 单元 装置 | ||
1.一种触控装置,其特征在于,该触控装置包含:
一盖板;及
两个触控感应单元,叠置于该盖板的底面,每一触控感应单元包括:
一基材,及
多个触控电极,设于该基材上,用以产生触控感应讯号,所述触控电极各包括:
一绝缘层,具绝缘性及透光性,及
多个纳米导电结构,设置于该绝缘层中,且各具有一金属主体,各该金属主体具有粗糙表面且彼此形成电连接;
其中,所述触控感应单元的其中一者的触控电极与所述触控感应单元的另一者的触控电极相互不平行,以分别呈现不同轴向的触控感应讯号。
2.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于:各该金属主体的表面粗糙度介于2纳米至20纳米之间。
3.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于:各该纳米导电结构的金属主体为纳米银线或纳米铜线。
4.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于:各该金属主体的粗糙表面是由电子束蚀刻技术、离子束蚀刻技术或化学蚀刻技术加工而成。
5.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于:该触控感应单元还包含一抗反射结构,该抗反射结构具有低反光性,并夹设于该基材与所述触控电极之间。
6.根据权利要求5所述的触控装置,其特征在于:该抗反射结构包括相互叠置的一第一光学层及一第二光学层,该第一光学层夹设于该基材与该第二光学层之间,且该第一光学层的折射率大于该第二光学层的折射率。
7.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于:所述纳米导电结构还分别包括一吸光构造,所述吸光构造具低反光性,并设置于所述金属主体的表面。
8.根据权利要求7所述的触控装置,其特征在于:各该金属主体为扭曲弯折的线状构造。
9.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于:所述触控电极为间隔地设置于该基材上。
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