[发明专利]触控装置有效
申请号: | 201410301580.8 | 申请日: | 2014-06-27 |
公开(公告)号: | CN105320318B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 高国峯;林胜文;巫柏毅;吴湘婷 | 申请(专利权)人: | 宸盛光电有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军 |
地址: | 中国香港铜锣湾希慎道*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感应 单元 装置 | ||
一种触控装置,包含一盖板及两个叠置于盖板底面的触控感应单元。每一触控感应单元包含一基材及多个触控电极。触控电极相互间隔地设于基材上,用以产生触控感应讯号,并分别包括一绝缘层及多个纳米导电结构。绝缘层具绝缘性及透光性。纳米导电结构设置于绝缘层中,且各具有一彼此形成电连接并具有粗糙表面的金属主体。所述触控感应单元的其中一者的触控电极与所述触控感应单元的另一者的触控电极相互不平行,以分别呈现不同轴向的触控感应讯号。通过将纳米导电结构的金属主体配置为具有粗糙表面,能减缓金属主体的反光程度,使得光线照射到触控电极后不易形成明显的反光现象,而提升使用者观看触控装置的质量。
技术领域
本发明涉及一种触控装置,特别是一种具有低反光性触控电极的触控装置。
背景技术
铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)是目前常见于制作触控面板的触控电极的透明导电材料。然而,由于铟锡氧化物的透光性与导电性表现仍不尽理想,且成本相对昂贵,目前已发展出通过纳米银等材料制作触控电极的技术。通过纳米银制作触控电极具有透光性高与导电性佳的优点,但由于纳米银的物理特性,于光线照射后容易产生明显反光,用户观看屏幕时容易察觉如淡牛奶色的雾状反光现象,而影响观赏影像的质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能减缓触控电极的反光问题的触控感应单元。
于是,本发明触控感应单元,包含一基材及多个触控电极。触控电极设于该基材上,用以产生触控感应讯号,且各包括一具绝缘性及透光性的绝缘层及多个纳米导电结构。纳米导电结构设置于该绝缘层中,且各具有一金属主体,各该金属主体具有粗糙表面且彼此形成电连接。
较佳地,各该金属主体的表面粗糙度介于2纳米至20纳米之间。
较佳地,各该纳米导电结构的金属主体为纳米银线或纳米铜线。
较佳地,各该金属主体的粗糙表面是由电子束蚀刻技术、离子束蚀刻技术或化学蚀刻技术加工而成。
较佳地,该触控感应单元还包含一抗反射结构,该抗反射结构具有低反光性,并夹设于该基材与所述触控电极之间。
更佳地,该抗反射结构包括相互叠置的一第一光学层及一第二光学层,该第一光学层夹设于该基材与该第二光学层之间,且该第一光学层的折射率大于该第二光学层的折射率。
较佳地,所述纳米导电结构还分别包括一吸光构造,所述吸光构造具低反光性,并分别设置于所述金属主体的表面。
较佳地,各该金属主体为扭曲弯折的线状构造。
较佳地,所述触控电极为间隔地设置于该基材上。或者是,所述触控电极的绝缘层彼此相连,且所述触控电极的纳米导电结构相互电性绝缘。
本发明提出的另一触控感应单元,包含一基材及多个触控电极。触控电极设于该基材上,用以产生触控感应讯号,且各包括一具绝缘性及透光性的绝缘层及多个纳米导电结构。多个纳米导电结构设置于该绝缘层中且彼此形成电连接,并分别各具有一金属主体及一吸光构造。该吸光构造具低反光性,并设置于该金属主体的表面。
较佳地,各该纳米导电结构的金属主体为纳米银线或纳米铜线
较佳地,该吸光构造为包覆该金属主体表面的抗反射层。
较佳地,该吸光构造的材质为色料、硫化银或氧化铜。
较佳地,该吸光构造是通过色料染色技术或化学合成技术,在该金属主体的表面制作而成。
或者是,该吸光构造为附着在该金属主体表面的多个抗反射颗粒。
较佳地,该吸光构造的材质为导电碳黑。
较佳地,该触控感应单元还包含一抗反射结构,该抗反射结构具有低反光性,并夹设于该基材与所述触控电极之间。
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