[发明专利]连接器框架以及半导体装置

权利要求书

1.一种连接器框架，其特征在于，具备：

框架部；

第1连接器，从所述框架部突出而一体地设置于所述框架部，且具有第1部分、和设置于所述第1部分与所述框架部之间且比所述第1部分薄的第2部分；以及

第2连接器，从所述框架部突出而一体地设置于所述框架部，厚度与所述第1连接器的所述第2部分相同。

2.根据权利要求1所述的连接器框架，其特征在于，

所述第1连接器的所述第1部分的所述第2部分侧的端、与所述第2连接器的突出方向的前端之间的距离大于等于0.2mm。

3.根据权利要求1所述的连接器框架，其特征在于，

所述框架部在第1方向上延伸，

所述第1连接器以及所述第2连接器向与所述第1方向正交的第2方向突出，

在所述第1方向上等间距地排列了多个所述第1连接器，在所述第1方向上等间距地排列了多个所述第2连接器。

4.根据权利要求1所述的连接器框架，其特征在于，

所述框架部的厚度与所述第1连接器的所述第2部分的厚度、以及所述第2连接器的厚度相同。

5.根据权利要求1所述的连接器框架，其特征在于，

所述连接器框架包含铜。

6.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第1引线框架；

第2引线框架，相对所述第1引线框架隔开间隔地设置；

第3引线框架，相对所述第1引线框架以及所述第2引线框架隔开间隔地设置；

半导体芯片，设置于所述第1引线框架上，且具备具有第1面和与所述第1面相对的第2面的半导体层、设置于所述第1面并与所述第1引线框架接合了的第1电极、设置于所述第2面的第2电极、以及设置于所述第2面的第3电极；

树脂，对所述半导体芯片进行密封；

第1连接器；以及

第2连接器，

所述第1连接器具有：

第1部分，设置于所述半导体芯片的所述第2面上并与所述第2电极接合，且具有与所述半导体芯片的所述第2电极接合的第1接合面、和与所述第1接合面相对并从所述树脂露出了的散热面；以及

第2部分，通过与所述第1部分相同的材料而与所述第1部分一体地设置，从所述第1部分向所述第2引线框架侧突出，比所述第1部分薄，与所述第2引线框架接合，

所述第2连接器连接所述半导体芯片的所述第3电极和所述第3引线框架，且由与所述第1连接器相同的材料构成，厚度与所述第2部分相同。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1连接器以及所述第2连接器包含铜。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述散热面的面积与所述第2电极的面积的比大于等于100％。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2部分被所述树脂覆盖。

10.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1部分的厚度是大于等于0.5毫米且小于等于1毫米。

11.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1连接器的所述第2部分具有：

第2接合面，重叠于所述第2引线框架上；以及

第1阶梯部，比所述第2接合面更靠近所述第1部分一侧，与所述第2接合面接近地设置，

所述第2连接器具有：

第3接合面，重叠于所述第3引线框架上；以及

第2阶梯部，与所述第3接合面接近地设置。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第2部分中的与所述第2接合面接近的下表面设置了第1凹部，在所述第1凹部与所述第2接合面之间设置了所述第1阶梯部，

在所述第2连接器中的与所述第3接合面接近的下表面设置了第2凹部，在所述第2凹部与所述第3接合面之间设置了所述第2阶梯部。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1连接器的所述第2接合面、和与所述第2接合面接合了的所述第2引线框架的上表面的、所述第2部分的突出方向的宽度相同。