[发明专利]连接器框架以及半导体装置

说明书

关联申请

本申请享受以日本专利申请2014-17327号(申请日：2014年1月31日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及连接器框架以及半导体装置。

背景技术

近年来，在功率半导体装置中，为了低电阻化，作为芯片和外部引线的连接构造，提出了不使用引线结合，而使用了铜等的板状的连接器或者连接带(strap)的构造，这样的产品也越来越多。

另外，提出了使在芯片上搭载的连接器从树脂露出，并从安装基板侧的封装下表面和封装上表面这两个表面进行散热的构造。根据散热性这一点，优选从封装上表面露出的部分较厚。另外，在连接器中向引线侧延伸出而与引线连接的部分不位于芯片正上方，所以对散热没有那么多贡献，无需变厚，是与现有的引线框架相同程度的厚度即可。另外，与源极连接器等相比而流过的电流更小的栅极连接器变厚的必要性也低。

发明内容

本发明提供一种材料效率良好的连接器框架以及半导体装置。

根据实施方式，连接器框架具备框架部、从所述框架部突出并与所述框架部一体地设置的第1连接器、以及从所述框架部突出并与所述框架部一体地设置的第2连接器。所述第1连接器具有第1部分、设置于所述第1部分与所述框架部之间且比所述第1部分薄的第2部分。所述第2连接器的厚度与所述第1连接器的所述第2部分相同。

附图说明

图1是实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图2A以及B是实施方式的半导体装置的示意顶视图。

图3A以及B是半导体芯片的示意俯视图。

图4是实施方式的连接器框架的示意俯视图。

图5A是实施方式的第1连接器以及第2连接器的示意俯视图，图5B是第1连接器的示意剖面图，图5C是第2连接器的示意剖面图。

图6A是形成有实施方式的连接器框架的金属板的示意俯视图，图6B是金属板的示意剖面图。

图7是另一种实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图8A是另一种实施方式的第1连接器以及第2连接器的示意俯视图，图8B是第1连接器的示意剖面图，图8C是第2连接器的示意剖面图。

图9是另一种实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图10A是另一种实施方式的第1连接器以及第2连接器的示意俯视图，图10B是第1连接器的示意剖面图，图10C是第2连接器的示意剖面图。

图11是另一种实施方式的半导体装置的示意顶视图。

具体实施方式

以下，参照附图，说明实施方式。另外，在各附图中，对相同的要素附加了相同的符号。

图1是实施方式的半导体装置1的示意剖面图。

图2A是实施方式的半导体装置1的示意顶视图，图2B是去掉了树脂80的示意顶视图。在图2B中，关于树脂80，仅图示了侧面的外形线。

实施方式的半导体装置1具有半导体芯片10、与半导体芯片10电连接的引线框架21、31、41、第1连接器50、第2连接器70、以及对这些要素进行密封的树脂80。

半导体芯片10是在半导体层中的一个面侧设置的第1电极与在另一个面侧设置的第2电极之间进行连接的、在纵向上形成了电流路径的纵向器件。半导体芯片10是例如纵向MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，金属－氧化物－半导体场效应晶体管)。或者，半导体芯片10是纵向IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)、纵向二极管。

作为半导体而使用硅。或者，也可以使用硅以外的半导体(例如SiC、GaN等化合物半导体)。

图3A是半导体芯片10的第1面12的示意俯视图，图3B是第1面12的相反侧的第2面14的示意俯视图。

如图3A所示，在半导体层11的第1面12形成有第1电极13。例如在MOSFET中，第1电极13是漏电极。第1电极13占据第1面12的大部分地形成。

如图3B所示，在半导体层11的第2面14，第2电极15和第3电极16相互绝缘分离地形成。第2电极15占据第2面14的大部分地形成，在例如MOSFET中是源电极。第3电极16的面积小于第2电极15的面积，在例如MOSFET中是栅电极。