[发明专利]半导体制造装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造装置，其特征在于，具备：

腔，收容半导体基板；

真空部，将所述腔内减压；以及

加热部，对所述半导体基板进行加热，

通过所述真空部将所述腔内减压而使附着于所述半导体基板的水分冻结，

所述加热部对所述半导体基板进行加热而使在所述半导体基板冻结的水分升华。

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述真空部对所述腔内进行减压，同时，所述加热部对所述半导体基板进行加热。

3.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述真空部将所述腔内减压至小于等于水的三相点的气压，

所述加热部通过对所述半导体基板进行加热而使该半导体基板的温度从比水的升华曲线低的温度成为比水的升华曲线高的温度。

4.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述真空部将所述腔内减压至小于等于水的三相点的气压，

所述加热部通过对所述半导体基板进行加热而使该半导体基板的温度从比水的升华曲线低的温度成为比水的升华曲线高的温度。

5.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述真空部将所述腔内减压至小于等于水的三相点的气压，

所述加热部以使水的升华曲线从固相向气相通过的方式，对所述半导体基板进行加热。

6.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述真空部将所述腔内减压至小于等于水的三相点的气压，

所述加热部以使水的升华曲线从固相向气相通过的方式，对所述半导体基板进行加热。

7.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述真空部将所述腔内减压至小于等于0.00603atm的气压。

8.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于，

所述真空部将所述腔内减压至小于等于0.00603atm的气压。

9.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

还具备向所述腔内导入气化了的异丙醇的IPA供给部，

在所述腔内将所述半导体基板上的水分用异丙醇置换之后，所述真空部将所述腔内减压，从而使在所述半导体基板残存的水分冻结，

所述加热部对所述半导体基板进行加热而使在所述半导体基板冻结的水分升华。

10.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于，

还具备向所述腔内导入气化了的异丙醇的IPA供给部，

在所述腔内将所述半导体基板上的水分用异丙醇置换之后，所述真空部将所述腔内减压，从而使在所述半导体基板残存的水分冻结，

所述加热部对所述半导体基板进行加热而使在所述半导体基板冻结的水分升华。

11.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，

还具备在所述半导体基板上供给使水冻结的冷却剂的冷却剂供给部，

通过在所述腔内在所述半导体基板上供给冷却剂，在将在该半导体基板上残存的水分冻结之后，所述真空部将所述腔内减压，

所述加热部对所述半导体基板进行加热而使在所述半导体基板冻结的水分升华。

12.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于，

还具备在所述半导体基板上供给使水冻结的冷却剂的冷却剂供给部，

通过在所述腔内在所述半导体基板上供给冷却剂，在将在该半导体基板上残存的水分冻结之后，所述真空部将所述腔内减压，

所述加热部对所述半导体基板进行加热而使在所述半导体基板冻结的水分升华。

13.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

通过将收容半导体基板的腔内减压，使附着于所述半导体基板的水分冻结，

对所述半导体基板进行加热而使在所述半导体基板冻结的水分升华。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

同时进行所述腔内的减压以及所述半导体基板的加热。