[发明专利]半导体制造装置以及半导体装置的制造方法

说明书

关联申请

本申请享受以日本专利申请2014-5065号(申请日：2014年1月15日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体制造装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，作为湿法清洗后的干燥手法，频繁使用旋干或者IPA(Isopropyl Alcohol，异丙醇)干燥。但是，近年来，随着半导体装置的微细化的发展，期望形成具有高纵横比的沟槽。在形成具有高纵横比的沟槽的情况下，即使在湿法清洗之后执行以往的旋干或者IPA干燥，在沟槽内部也易于残留水。如果水在沟槽内部残留，则有时大气中的氧、水分以及硅反应，而生成水玻璃。水玻璃有可能成为使半导体装置的成品率以及特性恶化、损失半导体装置的可靠性的原因。

发明内容

本发明提供能够促进在半导体基板附着的水分去除的半导体制造装置以及半导体装置的制造方法。

半导体制造装置具备收容半导体基板的腔。真空部使腔内减压。加热部对半导体基板进行加热。在真空部中，通过使腔内减压而使附着于半导体基板的水分冻结。加热部对半导体基板进行加热而使在半导体基板中冻结的水分升华。

附图说明

图1是示出第1实施方式的半导体制造装置100的结构的一个例子的概略图。

图2(A)～图2(F)是示出半导体基板W的药液处理以及清洗处理的工序的图。

图3是水的相图。

图4(A)～图4(C)是示出在第1实施方式的半导体制造装置100中被处理的半导体基板W的情况的剖面图。

图5是示出第2实施方式的半导体制造装置200的结构的一个例子的概略图。

图6(A)～图6(E)是示出第2实施方式的半导体基板W的药液处理以及清洗处理的工序的图。

具体实施方式

以下，参照附图，说明本发明的实施方式。本实施方式不限定本发明。

(第1实施方式)

图1是示出第1实施方式的半导体制造装置100的结构的一个例子的概略图。半导体制造装置100(以下还简称为装置100)是例如湿法清洗装置，是在使用药品处理了半导体基板之后，使用纯水而对半导体基板进行清洗的装置。

装置100具备腔10、处理槽20、氮供给部30、IPA供给部40、真空泵50、以及加热部60。腔10收容了处理槽20，能够将内部密闭并且抽真空。处理槽20能够收容半导体基板，为了对该半导体基板进行药液处理以及清洗处理而放入药液或者纯水。例如，在处理槽20中放入药液而对半导体基板进行了药液处理之后，将处理槽20内的药液替换为纯水，而对半导体基板进行清洗处理。另外，处理槽20也可以形成为能够收纳多个半导体基板的尺寸。在该情况下，装置100能够对多个半导体基板同时进行清洗处理(批量处理)。氮供给部30是为了向腔10内供给氮气而设置的。IPA供给部40是为了向腔10内供给IPA气体而设置的。真空泵50是为了将腔10内抽真空而设置的。加热部60是为了在处理槽20中对半导体基板进行了清洗之后，对该半导体基板进行加热而设置的。加热部60没有特别限定，使用例如电气加热、激光加热、电磁感应加热等而对半导体基板进行加热即可。另外，加热部60能够对腔10内的半导体基板进行加热即可，也可以设置于腔10的内部、或者也可以设置于腔10的外侧。

图2(A)～图2(F)是示出半导体基板W的药液处理以及清洗处理的工序的图。如图2(A)所示，首先，在将半导体基板W放入到处理槽20内而进行了药液处理之后，使半导体基板W浸渍于纯水。由此，对半导体基板W进行清洗。此时，腔10被空气充满。因此，在半导体基板W的清洗之后，如果单纯地捞起了半导体基板W的情况下，半导体基板W的硅、水以及氧反应而在半导体基板W的表面形成水玻璃(例如，水印)。

因此，在使半导体基板W浸渍于处理槽20内的纯水的状态下，如图2(B)所示，将腔10内的空气用氮置换。此时，打开氮供给部30的阀门而向腔10内导入氮气。

接下来，如图2(C)所示，打开IPA供给部40的阀门，向腔10内导入高温的IPA气体(IPA蒸气)。由此，腔10内被IPA气体充满。