[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，包括：基板；设置在所述基板上的多晶硅有源层；设置在所述有源层上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上的多个栅极和栅线；设置在所述栅极上的第二绝缘层；设置在所述第二绝缘层上的源极、漏极和数据线以及与所述漏极电连接的像素电极；其特征在于：所述源极覆盖所述多个栅极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述有源层下方还设置有缓冲层。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于：所述多个栅极为2至5个。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：还包括与所述像素电极同层设置的公共电极。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：还包括设置在所述像素电极上方的第三绝缘层，以及设置在所述第三绝缘层上的狭缝状公共电极。

6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：还包括与所述栅极同层设置的公共电极。

7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：所述第二绝缘层为树脂材料。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于：所述树脂材料包括聚甲基丙烯酸甲酯和感光剂。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于：所述第二绝缘层的厚度为1.5-2.0μm。

10.一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成有源层、第一绝缘层、多个栅极；

在形成有所述有源层、第一绝缘层、栅极的基板上形成包括第一过孔和第二过孔的第二绝缘层；

在形成第二绝缘层的基板上形成包括源极和漏极的图形，所述源极覆盖所述多个栅极；

在形成包括源极和漏极的图形的基板上形成包括像素电极的图形，所述像素电极与所述漏极连接。

11.根据权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成有源层、第一绝缘层、栅极包括：

在基板上沉积缓冲层和非晶硅薄膜，将非晶硅转化成低温多晶硅，通过构图工艺形成包括有源层的图形；

在形成有所述有源层的基板上形成第一绝缘层的图形；

在形成有所述第一绝缘层的基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括多个栅极的图形。

12.根据权利要求10所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成像素电极的图形的基板上形成第三绝缘层。

在形成第三绝缘层的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括公共电极的图形。

13.根据权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二绝缘层为通过旋转涂覆形成的树脂层。

14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的阵列基板。