[发明专利]实时监控淀积设备的换向阀门的工作状态的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造设备技术领域，具体来说，本发明涉及一种实时监控淀积设备的换向阀门的工作状态的方法。

背景技术

在当前的半导体工艺中，所有硼硅玻璃(BSG)、磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)工艺在淀积薄膜之前，都会在淀积的前一步将反应时需要用到的气体提前进行预流，从而使得在淀积的初始保持工艺的稳定。由于在预流的时候，气体和淀积的时候完全一样，因此为了防止气体提前发生反应，会通过一个换向阀门将这些气体直接绕开工艺腔体，直接被泵抽走。由于此时的工艺腔体的压力是由节流阀门自动控制，而且工艺在几百托(torr)的压力进行下，所以一旦这个换向阀门发生问题，将导致工艺气体流入腔体，设备(机台)无法及时检测到，导致所淀积的膜质出现问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种实时监控淀积设备的换向阀门的工作状态的方法，能够在换向阀门发生问题时及时发现，提高工艺的稳定性和减少由此造成的良率损失。

为解决上述技术问题，本发明提供一种实时监控淀积设备的换向阀门的工作状态的方法，包括步骤：

在淀积工艺的步骤之前将所述淀积设备的工艺腔体内的压力抽至底压，并将其节流阀完全关闭；

预流大流量的氦气并通过所述换向阀门直接绕开所述工艺腔体，所述氦气直接被泵抽走；

所述淀积设备的压力检测系统检测所述工艺腔体内的压力；若所述压力相比于所述底压有急剧上升的情形，则认定所述换向阀门存在问题，否则认定所述换向阀门状态正常。

可选地，所述底压是指所述工艺腔体内的压力范围为0～30毫托。

可选地，所述大流量的氦气是指所述氦气的流量在3000sccm以上。

可选地，所述急剧上升的情形是指在所述压力的检测时间内，所述压力从所述底压上升至数百毫托。

可选地，所述检测时间为3秒钟。

可选地，所述淀积设备为美国应用材料公司的CENTURA系列的淀积设备。

可选地，所述淀积设备系用于后段互连工艺中的PSG、BSG和/或BPSG的薄膜淀积工艺。

可选地，所述方法能被整合进入整个淀积工艺的菜单之中，于每一片晶圆的所述淀积工艺的步骤之前执行一遍。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

1.此方法增加的步骤耗时只需短短的几秒钟(如3秒钟)，所以对产能几乎没有影响。

2.可以将出现异常而报废的晶圆控制在1片，大大提高了良率。

3.所作的改进无需增加其他设备部件，成本很低。

总而言之，本发明的方法能够整合进入整个工艺菜单之中，在每一次淀积工艺的执行之前都可以检测一遍，从而达到实时监控换向阀门的工作状态，并且在该换向阀门发生问题时能及时发现，提高了工艺的稳定性，减少了由此造成的良率损失。

附图说明

本发明的上述的以及其他的特征、性质和优势将通过下面结合附图和实施例的描述而变得更加明显，其中：

图1为本发明一个实施例的实时监控淀积设备的换向阀门的工作状态的方法流程示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步说明，在以下的描述中阐述了更多的细节以便于充分理解本发明，但是本发明显然能够以多种不同于此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下根据实际应用情况作类似推广、演绎，因此不应以此具体实施例的内容限制本发明的保护范围。

图1为本发明一个实施例的实时监控淀积设备的换向阀门的工作状态的方法流程示意图。该淀积设备可以为美国应用材料公司的CENTURA系列的淀积设备，可以用于后段互连工艺中的PSG、BSG和/或BPSG的薄膜淀积工艺。如图1所示，该监控方法可以主要包括如下步骤：

首先执行步骤S101，在淀积工艺的步骤之前将淀积设备的工艺腔体内的压力抽至底压，并将其节流阀完全关闭。

在本实施例中，该底压是指工艺腔体内的压力范围为0～30毫托(mtorr)。

然后执行步骤S102，预流大流量的氦气并通过换向阀门直接绕开工艺腔体，氦气直接被泵抽走。

在本实施例中，该大流量的氦气是指氦气的流量至少在3000sccm以上，例如4000sccm、5000sccm，该流量的最高值受到淀积设备的构造限制。

最后执行步骤S103，淀积设备的压力检测系统检测工艺腔体内的压力。此时，若压力相比于底压有急剧上升的情形，则认定换向阀门存在问题，否则认定换向阀门状态正常。