[发明专利]一种有机发光薄膜封装结构，其器件、装置及制造方法

权利要求书

1.一种有机发光薄膜封装结构，其特征在于：包含有机发光单元，以及覆盖所述有机发光单元的薄膜结构，所述薄膜结构包括位于下层的第一膜层、位于上层的第二膜层，以及位于中间的过渡层，所述第一膜层为SiX或SiXY，所述第二膜层为SiY或SiXY，所述过渡层的材料为多层SiXnYm，其中，所述第一膜层和第二膜层不为同种材料；

其中，所述过渡层中一相邻两层SiXnYm的X或Y原子比的差值大于所述第一膜层或第二膜层与相邻过渡层的X或Y原子比差值，

其中，所述m和n的取值为0～1，包含0和1的端值；

其中，所述X为O、C或N，所述Y为O、C或N，所述X和Y为不同原子。

2.如权利要求1所述的有机发光薄膜封装结构，其特征在于：在所述过渡层中，从上至下或从下至上，相邻SiXnYm的X或Y原子比的差值先逐渐增大，后逐渐减小。

3.如权利要求2所述的有机发光薄膜封装结构，其特征在于：所述薄膜结构的第一膜层为SiCN，所述薄膜结构的第二膜层为SiN，所述过渡层的材料为SiC_nN_m。

4.如权利要求3所述的有机发光薄膜封装结构，其特征在于：所述过渡层由从下至上依次叠加的SiC_0.9N、SiC_0.8N、SiC_0.2N、SiC_0.1N组成。

5.如权利要求4所述的有机发光薄膜封装结构，其特征在于：所述SiC_0.1N的厚度为0.1-0.5um，所述SiC_0.2N的厚度为0.1-0.5um、所述SiC_0.8N的厚度为0.1-0.5um，所述SiC_0.9N的厚度为0.1-0.5um，所述第一膜层的厚度为0.2-0.9um，所述第二膜层的厚度为0.2-0.9um。

6.如权利要求2所述的有机发光薄膜封装结构，其特征在于：所述第一膜层为SiO，所述的第二膜层为SiN，所述过渡层的材料为SiO_nN_m。

7.如权利要求6所述的有机发光薄膜封装结构，其特征在于：所述过渡层由从下至上依次叠加的SiO_0.9N_0.1、SiO_0.8N_0.2、SiO_0.2N_0.8、SiO_0.1N_0.9组成。

8.如权利要求7所述的有机发光薄膜封装结构，其特征在于：所述SiO_0.1N_0.9的厚度为0.05-0.1um，所述SiO_0.2N_0.8的厚度为0.05-0.1um、所述SiO_0.8N_0.2的厚度为0.05-0.1um，所述SiO_0.9N_0.1的厚度为0.05-0.1um，所述第一膜层的厚度为0.1-0.2um，所述第二膜层的厚度为0.1-0.2um。

9.一种有机发光器件，其特征在于：包括有机发光单元以及如权利要求1-8任一项所述的薄膜结构。

10.一种显示装置，其特征在于：包括权利要求9所述的有机发光器件。

11.一种有机发光薄膜封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

蒸镀有机发光单元；

在所述有机发光单元采用等离子体增强化学气相沉积法制备薄膜结构的第一膜层；

通过调节通入的气流量，制备薄膜结构的过渡层；

在所述过渡层表面采用等离子体增强化学气相沉积法制备第二膜层，

其中，所述第一膜层为SiX或SiXY，所述第二膜层为SiY或SiXY，所述过渡层的材料为多层SiXnYm，其中，所述第一膜层和第二膜层不为同种材料；

其中，所述过渡层中一相邻两层SiXnYm的X或Y原子比的差值大于所述第一膜层或第二膜层与相邻过渡层的X或Y原子比差值大，

所述m和n的取值为0～1，包含0和1的端值；

所述X为O、C或N，所述Y为O、C或N，所述X和Y为不同原子。

12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，在所述第一膜层和有机发光单元之间，还蒸镀有一缓冲层。