[发明专利]黑色聚酰亚胺膜及其加工方法

说明书

技术领域

本发明关于一种聚酰亚胺膜及其加工方法，尤其是关于一种可改善掉色问题之黑色聚酰亚胺膜及加工方法。

背景技术

聚酰亚胺膜常用作软性电路板之基材或覆盖层(coverlay)之材料，在此种应用中，要求聚酰亚胺膜需具备低光泽度、低透光性及绝缘性等特性，其中，低光泽度可使元件外观更具质感与美观，绝缘性及低透光性则可保护内部电路板之电路设计。

一般而言，要制备兼具低光泽度、低透光性及绝缘性之聚酰亚胺膜，在聚酰亚胺膜制程中必须添加呈色添加剂(例如：色料、染料等)及消光剂(matting agent)两者，以黑色聚酰亚胺膜为例，通常藉由添加碳黑以降低聚酰亚胺膜之透光度并呈现所欲黑色。

于习知膜加工制程中，须将聚酰亚胺膜所制得之软性电路板进行雷射钻孔，再以电浆蚀刻去除钻孔所产生之胶渣，才可进行后续贴胶及电镀等制程。然而，如图1A至图1C所示，现有的黑色聚酰亚胺膜1于去胶渣(desmear)之电浆蚀刻13之步骤中容易产生掉色问题，即，该黑色聚酰亚胺膜1进行蚀刻时，黑色聚酰亚胺膜1中的聚酰亚胺聚合物11将被蚀刻，而其所含有的碳黑12逐渐裸露并堆积于黑色聚酰亚胺膜1之表面上，于后续制程中极容易脱落，造成后续加工设备之污染。因此，开发出可改善掉色问题之聚酰亚胺膜有其必要性。

发明内容

本发明提供一种黑色聚酰亚胺膜，包括：聚酰亚胺聚合物，其由二胺化合物及二酐化合物反应而形成；以及碳黑，含有氧原子与碳原子，其中该氧原子对该碳原子之重量比为11％以上。

所述的黑色聚酰亚胺膜中，以该聚酰亚胺膜之总重计算，分布在该聚酰亚胺聚合物中的该碳黑占0.5wt％至10wt％。

所述的黑色聚酰亚胺膜中，该碳黑中的氧原子对碳原子的重量比至少等于或高于15％。

所述的黑色聚酰亚胺膜中，该碳黑中的氧原子对碳原子的重量比至少等于或高于19％。

所述的黑色聚酰亚胺膜中，可进一步包括消光剂。

所述的黑色聚酰亚胺膜中，该消光剂选自聚酰亚胺粉体、氧化硅、或其组合。

本发明亦提供一种积层板，包括本发明之黑色聚酰亚胺膜，及设置于其表面之一或复数层之金属层。

依据本发明另一实施例，为提供一种聚酰亚胺膜，包括：聚酰亚胺聚合物，其由二胺化合物及二酐化合物反应而形成；碳黑，含有氧原子与碳原子，其中该氧原子对该碳原子之重量比为11％以上；以及消光剂，该消光剂选自聚酰亚胺粉体、氧化硅、或其组合。

所述的聚酰亚胺膜中，以该聚酰亚胺膜之总重计算，该碳黑占0.5wt％至10wt％。

所述的聚酰亚胺膜中，该碳黑中的氧原子对碳原子的重量比至少等于或高于15％。

所述的聚酰亚胺膜中，该碳黑中的氧原子对碳原子的重量比至少等于或高于19％。

本发明亦提供一种积层板，其包括：上述的聚酰亚胺膜；以及一或复数金属层，设置于该聚酰亚胺膜的表面。

本发明亦提供一种黑色聚酰亚胺膜之加工方法，包括：提供黑色聚酰亚胺膜，其中该黑色聚酰亚胺膜包含有聚酰亚胺聚合物及碳黑，该碳黑之氧原子对碳原子之重量比为11％以上；以及对于该黑色聚酰亚胺膜进行蚀刻，其中，该聚酰亚胺聚合物及该碳黑之蚀刻速率大约相同。

所述的加工方法中，以该聚酰亚胺膜之总重计算，该碳黑占0.5wt％至10wt％。

所述的加工方法中，该碳黑中的氧原子对碳原子的重量比至少等于或高于15％。

所述的加工方法中，该碳黑中的氧原子对碳原子的重量比至少等于或高于19％。

附图说明

第1A图至第1C图绘示习知黑色聚酰亚胺膜进行电浆蚀刻的示意图。

第2A图及第2B图绘示本发明黑色聚酰亚胺膜进行电浆蚀刻的示意图。

附图中符号说明：

2   黑色聚酰亚胺膜

21  聚酰亚胺聚合物

22  碳黑

23  电浆蚀刻

具体实施方式