[发明专利]一种铜铟硒碲纳米线的制备方法有效
申请号: | 201410308578.3 | 申请日: | 2014-07-01 |
公开(公告)号: | CN104064628A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 陈铭;沈枭;杜江 | 申请(专利权)人: | 扬州大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铜铟硒碲 纳米 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于新一代薄膜太阳能电池材料技术领域,具体涉及铜铟硒碲纳米线的制备方法。
背景技术
铜铟硒(CuInSe2, CIS)是一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体,具有黄铜矿、闪锌矿两个同素异形的晶体结构。铜铟硒是一种性能优良的薄膜太阳能电池材料,铜铟硒薄膜太阳能电池材料具有近似最佳的光学能隙,吸收率(吸收与入射光通量之比)高( 105cm–1),抗辐射能力强和长期稳定性好等特点。其能隙还可以通过 Ga 和 Al 部分取代 In,或 S 部分取代 Se 进行调节。铜铟硒薄膜太阳能电池属于技术集成度很高的化合物半导体光伏器件,由在玻璃或廉价的衬底上沉积多层薄膜而构成。薄膜总厚度约2~3μm,具有高转换效发,开始进入大规模产业化技术攻关。日本昭和石油公司创下了这种CIS 系薄膜太阳能电池率、低成本、无衰退等综合性能。德国、美国和日本已经完成了铜铟硒薄膜太阳能电池中试开转换效率的最高世界记录。面积为864cm2的转换效率为14.3%,面积为3560cm2的转换效率为13.4%。
铜铟硒碲(CuInSeyTe2-y, CIST)是一种四元的半导体化合物,其禁带宽度约为1.0 eV,与铜铟硒接近,具有很好的吸光性能,是一种潜在的薄膜太阳能电池材料。有关铜铟硒碲纳米线的制备方法尚未见报道。这主要是由于四元体系的生长,尤其是化学计量比比较难以控制,往往得到的是混合物,而不是纯的四元体系。
一维半导体纳米线的制备方法主要分为气相法和液相法,其中气相法需要较为昂贵的仪器设备,操作过程较为复杂,对原料浪费较为严重,不能有效的控制多组分的化学计量比,合成出的纳米线产量有限,这些都限制了材料制备的实际应用。与气相法相比,尤其是Solution-Liquid-Solid(简称SLS)方法具有仪器设备便宜,操作过程简便,可以有效的控制多组分材料的化学计量比,可以大批量的生产高质量的纳米线,满足商品化需要。SLS方法的原理是以低熔点的金属纳米粒子为催化剂(如:锡,铋),在高温下金属纳米粒子聚集为液态液滴,这些液滴将作为纳米线生长的液态核心。反应前驱体会不断的溶入液态液滴,当达到过饱和时,半导体晶枝就会从液滴中析出,在液滴的约束下,形成一维纳米线结构。同时液滴中前驱体浓度欠饱和,前驱体会溶入液滴中,提供晶枝继续生长,这样形成的纳米线可达到10微米。但是,利用SLS方法制备四元体系纳米线仍然是一个挑战,因为各组分的活性各不相同,可能形成多相混合体系,也可能生成的不是纳米线,因此,如何获得四元体系纳米线是一个值得探讨的课题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种薄膜太阳能电池材料-铜铟硒碲纳米线的制备方法。
本发明包括以下步骤:包括以下步骤:
1)制备铋纳米粒子的甲苯溶液:
将双(三甲基硅基)氨基铋的四氢呋喃溶液和双(三甲基硅基)氨基钠的四氢呋喃溶液混合,形成含有铋前驱体的混合溶液;
在氮气保护下,将聚乙烯吡咯烷酮-十六烷嵌段共聚物和二苯醚混合,磁力搅拌并加热到180℃,形成反应体系;
将含有铋前驱体的混合溶液注入反应体系中,经反应30分钟后,冷却到室温,再加入甲醇后离心,用甲苯和甲醇分散和离心处理,将离心出的固相分散在甲苯中,形成铋纳米粒子的甲苯溶液;
2)制备硒和碲前驱体溶液:
在氮气保护下将碲粉溶解于三辛基膦中,形成碲含量为0.5~1 mol/L的碲的三辛基膦溶液;无氧条件下,将乙酸铟、乙酸亚铜、油酸和三辛基膦混合后,加入碲的三辛基膦溶液,形成含有乙酸铟、乙酸亚铜和碲的前驱体溶液;无氧条件下,将乙酸铟、乙酸亚铜、油酸和三辛基膦混合后,加入硒的三辛基膦溶液,形成含有乙酸铟、乙酸亚铜和硒的前驱体溶液;
本发明选用三辛基膦作为溶剂有三个优点:1. 三辛基膦是一个高沸点有机溶剂,本发明需要较高的反应温度,三辛基膦可以满足需要;2. 三辛基膦可以很好地溶解各种前驱体;3. 三辛基膦具有一定的还原性,可以保护反应物不被氧化。
3)制备铜铟硒碲纳米线:
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的