[发明专利]一种HfS3纳米带的制备方法及其制备的HfS3纳米带和用途

权利要求书

1.一种制备HfS₃纳米带的方法，其特征是：首先将铪粉末与升华硫粉末按照1:3比例混合，充分混合均匀，然后，将混合好的反应原料装入一端封闭的石英管中，抽真空，焰封，将密封好的石英管水平放入卧式管式炉中，在550-750℃下反应5-20h，产物三硫化铪(HfS₃)纳米带就在石英管内生成，反应结束后，石英管自然冷却至室温，开管后，用摄子将产物取出，制得表面光滑、宽度为300-500nm，长度为30-50微米的HfS₃纳米带。

2.一种根据权利要求1所述的制备方法制备的HfS₃纳米带。

3.权利要求2所述的HfS₃纳米带在制备场效应晶体管或光探测器中的应用。

4.根据权利要求3所述的HfS₃纳米带制备场效应晶体管或光探测器的方法，其特征是包括如下步骤：

步骤1.将权利要求2所述的HfS₃纳米带分散于乙醇中，超声震荡5min使纳米材料均勾悬浮在分散液中，将分散液均匀分散旋涂在清洗后洁净的SiO₂/Si衬底上，挥发后形成均匀分布HfS₃纳米带；

步骤2.采用光刻工艺，分别涂胶、烘胶、二次涂胶、烘胶、曝光、烘胶、泛曝光、显影工序，将器件图案化；

步骤3.光刻好的样品放置在电子束或PLD系统真空腔内，通过控制蒸镀条件制备Ti/Au源-漏电极，即得场效应晶体管或光探测器。