[发明专利]一种HfS3纳米带的制备方法及其制备的HfS3纳米带和用途无效
| 申请号： | 201410308789.7 | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104030350A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 朱俊杰;熊维伟;吴兴才;陈晋强 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C01G27/00 | 分类号： | C01G27/00;H01L21/335;H01L29/772;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 黄嘉栋 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 hfs sub 纳米 制备 方法 及其 用途 | ||
技术领域
本发明涉及HfS3纳米带制备及其在场效应晶体管和高性能光探测器的应用。
背景技术
近年来，一维过渡金属硫化物纳米材料，如纳米线，纳米棒，纳米管和纳米带(参见：(a)X.F.Duan,Y.Huang,R.Agarwal and C.M.Lieber,Nature,2003,421,241.(b)Y.Gu,E.S.Kwak,J.L.Lensch,J.E.Allen,T.W.Odom and L.J.Lauhon,Appl.Phys.Lett.,2005,87,043111.(c)P.K.Ghosh,U.N.Maiti,S.Jana and K.K.Chattopadhyay,Appl.Surf.Sci.,2006,253,1544.(d)G.L.Frey,R.Tenne,M.J.Matthews,M.S.Dresselhaus and G.Dresselhaus,J.Mater.Res.,1998,13,2412.(e)A.Sengupta and S.Mahapatra,J.Appl.Phys.,2013,113,194502.(f)X.C.Wu,Y.R.Tao and Q.X.Gao,Nano.Res.,2009,2,558.(g)X.C.Wu,Y.R.Tao and Q.X.Gao,Chem.Comm.,2009,40,6008.)，由于其表面积/体积比值大，限制的维度，受到了科学家们的广泛关注(参见：(a)L.F.Hu,J.Yan,M.Y.Liao,H.J.Xiang,X.G.Gong,L.D.Zhang and X.S.Fang,Adv.Mater.,2012,24,2305.)。一维过渡金属硫化物纳米材料可以用于微纳电子和光探测器件，如气敏元件，发光二极管，场发射，太阳能电池，场效应晶体管(FETs)和光电探测器(参见：(a)X.F.Wang,Z.Xie,H.T.Huang,Z.Liu,D.Chen and G.Z.Shen,J.Mater.Chem.,2012,22,6845.(b)R.M.Ma,L.Dai,H.B.Huo,W.Q.Yang,G.G.Qin,P.H.Tan,C.H.Huang and J.Zheng,Appl.Phys.Lett.,2006,89,203120.(c)L.Li,H.Lu,Z.Y.Yang,L.M.Tong,Y.Bando and D.Golberg,Adv.Mater.,2013,25,1109.)。
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