[发明专利]半导体测试结构

权利要求书

1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，具有相对的第一表面与第二表面，所述第一表面形成有第一测试金属层与第二测试金属层，所述第二测试金属层围绕所述第一测试金属层设置，所述第二表面至少形成有第一导电金属层；

形成在所述半导体衬底内的多个穿硅通孔结构，所述穿硅通孔结构包括：侧壁设置的绝缘层以及内部填充满的导电材料，每个所述穿硅通孔结构的一端与第一测试金属层连接，另一端与第一导电金属层连接，每个穿硅通孔结构对应的第一测试金属层连接成一整体。

2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一测试金属层与第二测试金属层之间无层间介质层，所述第一测试金属层与第一导电金属层施加测试电压时，第一测试金属层与第二测试金属层用于获取所述多个穿硅通孔结构的漏电流。

3.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一测试金属层与第二测试金属层之间填充有层间介质层，所述第一测试金属层与第一导电金属层施加测试电压时，第一测试金属层与第二测试金属层用于获取所述多个穿硅通孔结构的漏电流以及所述层间介质层的漏电流。

4.根据权利要求2或3所述的半导体测试结构，其特征在于，所述测试电压为固定电压或电压逐渐增大的斜坡电压。

5.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构还包括：形成于半导体衬底所述第二表面的第二导电金属层，所述第二测试金属层与第二导电金属层之间具有穿硅通孔结构。

6.根据权利要求5所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第二测试金属层与第二导电金属层之间具有多个穿硅通孔结构，每个穿硅通孔结构与一个第二导电金属层相连。

7.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构还包括：

第一测试焊垫，与所述第一测试金属层电连接；

第二测试焊垫，与所述第二测试金属层电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一表面为半导体衬底的正面，所述第二表面为半导体衬底的背面。

9.根据权利要求8所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一测试焊垫与所述第一测试金属层位于同一金属层，所述第二测试焊垫与所述第二测试金属层位于同一金属层。

10.根据权利要求8所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一测试焊垫位于所述第一测试金属层的上层金属层，两者通过导电插塞连接；所述第二测试焊垫位于所述第二测试金属层的上层金属层，两者通过导电插塞连接。

11.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一导电金属层为再分布层。

12.根据权利要求5所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第二导电金属层为再分布层。

13.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一测试金属层与所述半导体衬底之间形成有扩散阻挡层，所述第二测试金属层与所述半导体衬底之间形成有扩散阻挡层。

14.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述穿硅通孔侧壁的绝缘层与其内填充的导电材料之间具有扩散阻挡层。