[发明专利]具有带负电荷抗反射层的太阳电池及其制法

权利要求书

1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括：

N型半导体衬底；

上电极，所述上电极位于所述N型半导体衬底的正表面上；

感应层，所述感应层包括带固定负电荷的抗反射层，所述抗反射层包括带固定负电荷的掺杂态氮化硅层，所述抗反射层位于所述上电极中；

且所述抗反射层中固定负电荷的密度为10¹²～10¹³cm^-2。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述掺杂态氮化硅层中的掺杂元素包括：磷、砷、锑、氧、硫、硒、碲，或其组合。

3.根据权利要求2所述的太阳电池，其特征在于，所述掺杂态氮化硅中掺杂元素的含量为0.01～35％，按所述掺杂态氮化硅层的总原子数量计。

4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述抗反射层还包括一复合介质膜层；较佳地，所述的复合介质膜层选自下组：氧化铝层、非晶硅层、氧化钛层，或其组合。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述感应层还包括绝缘层，所述的绝缘层位于上电极和衬底之间。

6.根据权利要求5所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括选自下组的一种或多种层：

反型层，所述反型层位于所述绝缘层和衬底之间；

背电极，所述背电极位于所述衬底下方。

7.一种如权利要求1所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

i)提供N型半导体衬底；

ii)在所述N型半导体衬底的正表面上生成上电极；

iii)在所述N型半导体衬底的正表面上生成感应层，所述感应层包括带固定负电荷的抗反射层，所述抗反射层包括带固定负电荷的掺杂态氮化硅层，该抗反射层位于所述上电极中，且所述抗反射层中所述固定负电荷的密度为10¹²～10¹³cm。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤iii包括：

利用气相沉积法在所述上电极中生成抗反射层。

9.一种如权利要求6所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)提供N型半导体衬底；

(b)在所述N型半导体衬底的背面生成背电极，并在所述N型半导体衬底的正表面生成绝缘层；

(c)在所述绝缘层上生成上电极；

(d)在所述N型半导体衬底的正表面上生成感应层，同时，在所述半导体近该感应层的表面感应出反型层，从而，得到所述的太阳能电池，其中，

所述感应层包括带固定负电荷的抗反射层，所述抗反射层包括带固定负电荷的掺杂态氮化硅层，该抗反射层位于所述上电极中，且所述抗反射层中所述固定负电荷的密度为10¹²～10¹³cm。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(b)包括：

在所述衬底背面生成背电极，并对背面生成背电极的所述衬底进行退火处理，从而在所述衬底正表面生成绝缘层，并完成背电极的欧姆接触；或

在所述衬底正表面直接生长绝缘层，并在正表面生长有绝缘层的衬底的背面生长背电极。