[发明专利]破断装置以及分断方法有效
申请号: | 201410309300.8 | 申请日: | 2014-07-01 |
公开(公告)号: | CN104552629B | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 富本博之;黑田直洋;岩坪佑磨;中谷郁祥;武田真和;村上健二 | 申请(专利权)人: | 三星钻石工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B28D5/04;B28D7/00;B28D7/04 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 以及 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种在半导体基板、陶瓷基板等脆性材料基板上涂布树脂层等而成的复合基板的破断装置以及分断方法。
背景技术
半导体芯片是通过将形成在半导体晶片上的元件区域在所述元件区域的边界位置分断而制造。以往,在将晶片分断成芯片的情况下,通过切割装置使切割刀片旋转,从而通过切削将半导体晶片切断得较小。
然而,在使用切割装置的情况下,必需有水以排出因切削产生的排出碎屑,为了不使该水或排出碎屑对半导体芯片的性能产生不良影响,必须有前后步骤以对半导体芯片实施保护,且清洗掉水或排出碎屑。因此,有步骤变得复杂,无法削减成本或缩短加工时间的缺点。另外,因使用切割刀片进行切削,所以会产生膜剥离或缺损等问题。另外,在具有微小机械构造的MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems,微机电系统)基板中,会因水的表面张力导致构造破坏,所以不能使用水,从而产生无法通过切割进行分断的问题。
另外,在专利文献1、2中提出了一种基板破断装置,通过对形成着划线的半导体晶片,从形成着划线一面的背面,沿着划线垂直于该面按压而将其裂断。下面,示出利用此种破断装置的裂断的概要。在成为裂断对象的半导体晶片上整齐排列地形成着多个功能区域。在进行分断的情况下,首先,在半导体晶片上,在功能区域之间隔开等间隔沿纵向及横向形成划线。接着,沿着该划线利用破断装置进行分断。图1(a)表示分断前载置于破断装置的半导体晶片的剖视图。如本图所示,在复合基板101上形成着功能区域101a、101b,在功能区域101a、101b之间形成着划线S1、S2、S3…。在进行分断的情况下,在复合基板101的背面贴附胶带102,在其正面贴附保护膜103。接着,在裂断时,如图1(b)所示,在支承刀105、106的正中间配置应裂断的划线,在该情况下为划线S2,使刀片104从其上部对准划线下降,从而按压复合基板101。以此方式,利用一对支承刀105、106与刀片104的三点弯曲进行裂断。
[背景技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2004-39931号公报
[专利文献2]日本专利特开2010-149495号公报
发明内容
[发明要解决的问题]
在具有此种构成的破断装置中,于在裂断时将刀片104往下压而进行按压的情况下,复合基板101会稍微折曲,因此,应力会集中于复合基板101与支承刀105、106的前缘接触的部分。因此,如果破断装置的支承刀105、106的部分如图1(a)所示那样接触到功能区域101a、101b,那么在裂断时会对功能区域施加力。因此,存在有可能损伤半导体晶片上的功能区域的问题。
另外,作为使用破断装置进行分断的基板,有在陶瓷基板上涂布硅树脂而成的复合基板。在此种复合基板中,在将陶瓷基板裂断后,直接利用裂断棒按压树脂层,在此情况下,存在树脂层变形而易于受到损伤的问题。另外,如果为了解决所述问题而想要使用激光进行分断,那么存在会因激光的热影响而受到损伤,或在照射激光之后,飞溅物附着于周边的问题。
本发明着眼于此种问题而完成,其目的在于能够将脆性材料基板已经被裂断的复合基板无损伤地破断。
[解决问题的技术手段]
为了解决该问题,本发明的分断方法是将复合基板分断的分断方法,所述复合基板是在一个面具有功能区域的脆性材料基板上涂布树脂,并且在所述脆性材料基板形成着裂断线以分断所述功能区域;在弹性支撑板上,以脆性材料基板的面成为上表面的方式配置所述复合基板,通过沿着所述脆性材料基板的裂断线往下压扩展棒(Expand Bar)而将树脂层破断。
为了解决该问题,本发明的分断方法是将复合基板分断的分断方法,所述复合基板是在一个面具有功能区域的脆性材料基板上涂布树脂而形成;并且对所述脆性材料基板的未涂布树脂一面进行刻划而形成划线,以分断所述复合基板的功能区域,沿着所述划线将所述复合基板的脆性材料基板裂断,在弹性支撑板上,以脆性材料基板的面成为上表面的方式配置所述复合基板,通过沿着所述脆性材料基板的裂断线往下压扩展棒而将树脂层破断。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造