[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，其中在衬底中包括腔体阵列，所述腔体的每个侧面方向分别与晶体的一个侧向晶面方向一致，所述腔体为∑形；

在衬底表面上形成缓冲层，其中缓冲层的材料填充所述腔体，缓冲层的材料为InP；

在缓冲层的表面上形成鳍片式沟道层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

形成栅极结构，所述栅极结构包括至少在所述鳍片式沟道层的一部分上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅极、以及用于所述栅极的间隔物。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

以栅极结构为掩模对鳍片式沟道层进行离子注入，以形成源漏生长区。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

提供衬底的步骤包括：

对衬底进行图案化，以在衬底中形成空腔阵列；

对所述空腔进行具有晶向选择性的湿法蚀刻，以便形成所述腔体。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在缓冲层的表面上形成鳍片式沟道层的步骤包括：

在缓冲层的表面上形成沟道材料层；

对沟道材料层进行图案化，以形成所述鳍片式沟道层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述衬底的材料为硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

鳍片式沟道层的材料为InGaAs。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

鳍片式沟道层的材料为P-InGaAs。

9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

源漏生长区的材料为N⁺-InGaAs。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

缓冲层的厚度范围为10-500nm；

鳍片式沟道层的厚度范围为10-500nm。

11.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，其中在衬底中包括腔体阵列，所述腔体的每个侧面方向分别与晶体的一个侧向晶面方向一致，所述腔体为∑形；

在衬底表面上的缓冲层，其中缓冲层的材料填充所述腔体，缓冲层的材料为InP；

在缓冲层的表面上的鳍片式沟道层。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

栅极结构，所述栅极结构包括至少在所述鳍片式沟道层的一部分上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅极、以及用于所述栅极的间隔物。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

鳍片式沟道层上的源漏生长区。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，

所述衬底的材料为硅。

15.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，

鳍片式沟道层的材料为InGaAs。

16.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，

鳍片式沟道层的材料为P-InGaAs。

17.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，

源漏生长区的材料为N⁺-InGaAs。

18.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，

缓冲层的厚度范围为10-500nm；

鳍片式沟道层的厚度范围为10-500nm。