[发明专利]芯片层叠封装体、制造方法、包括其的电子系统和存储卡有效
申请号: | 201410312930.0 | 申请日: | 2014-07-02 |
公开(公告)号: | CN104766839B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 南宗铉 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L25/00 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 层叠 封装 制造 方法 包括 电子 系统 存储 | ||
1.一种芯片层叠封装体,包括:
第一芯片,被设置在基板之上;
第二芯片,被设置在所述第一芯片之上并且包括悬垂部,所述悬垂部突出超过所述第一芯片的侧壁;以及
第一支撑件,被附接至所述第二芯片的所述悬垂部的底表面和所述第一芯片的所述侧壁,
其中,所述第一支撑件的厚度随着其接近所述第一芯片的所述侧壁而增加,
其中,所述第一支撑件从所述第一芯片的侧壁延伸至所述悬垂部的端部,
其中,所述第一支撑件设置在所述第二芯片的悬垂部的大致整个底表面上。
2.如权利要求1所述的芯片层叠封装体,其中,所述第一芯片和所述第二芯片分别在第一方向和第二方向上纵向延伸,使得所述第一芯片和所述第二芯片彼此交叉。
3.如权利要求1所述的芯片层叠封装体,其中,所述第一芯片的所述侧壁与所述第二芯片的所述悬垂部的所述底表面相邻。
4.如权利要求2所述的芯片层叠封装体,其中,所述第一支撑件的厚度根据沿着所述第二方向离所述第一芯片的所述侧壁的距离来变化。
5.如权利要求4所述的芯片层叠封装体,其中,所述第一芯片的所述侧壁上的所述第一支撑件的部分的厚度大体上等于或小于所述第一芯片的厚度。
6.如权利要求1所述的芯片层叠封装体,其中,所述第一支撑件包括绝缘材料。
7.如权利要求1所述的芯片层叠封装体,其中,所述第一支撑件包括环氧型材料或基于硅的材料。
8.如权利要求1所述的芯片层叠封装体,其中,所述第一支撑件、所述第一芯片和所述第二芯片具有大体上相同的热膨胀系数CTE。
9.如权利要求1所述的芯片层叠封装体,其中,所述第二芯片的所述悬垂部为第一悬垂部,还包括:
第三芯片,被设置在所述第二芯片之上并且包括第二悬垂部;
第四芯片,被设置在所述第三芯片之上并且包括第三悬垂部;
第二支撑件,被附接至所述第四芯片的所述第三悬垂部的底表面和所述第三芯片的侧壁;以及
第三支撑件,被附接至所述第三芯片的所述第二悬垂部的顶表面和所述第四芯片的侧壁。
10.如权利要求9所述的芯片层叠封装体,其中,所述第三芯片的所述侧壁与所述第四芯片的所述第三悬垂部的所述底表面相邻。
11.如权利要求9所述的芯片层叠封装体,其中,所述第二支撑件在第一方向上纵向延伸,并且在第二方向上横向延伸,以及
其中,所述第二支撑件的厚度随着沿着所述第二方向离所述第三芯片的所述侧壁的距离而变化。
12.如权利要求9所述的芯片层叠封装体,其中,所述第二支撑件的厚度随着其从所述第四芯片所述悬垂部的端部接近所述第三芯片的所述侧壁而增加。
13.如权利要求12所述的芯片层叠封装体,其中,所述第三芯片的所述侧壁上的所述第二支撑件的厚度大体上等于或小于所述第三芯片的厚度。
14.如权利要求9所述的芯片层叠封装体,其中,所述第二支撑件从所述第三芯片的所述侧壁到所述第四芯片的所述第三悬垂部的端部,在第一方向上纵向延伸,并在第二方向上横向延伸。
15.如权利要求9所述的芯片层叠封装体,还包括多个芯片焊盘,所述多个芯片焊盘被暴露在所述第三芯片的所述第二悬垂部的所述顶表面的第一部分上,
其中,所述第三支撑件被附接至所述第三芯片的所述第二悬垂部的所述顶表面的第二部分。
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