[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其包含：

半导体接触层，其包含一粗糙顶面，该粗糙顶面包含两相邻的第一顶峰以及一第一波谷，各第一顶峰包含一第一最高点，该第一波谷包含一位于该两相邻的第一顶峰之间的第一最低点，该两个第一最高点与该第一最低点连接形成两条第一斜线，且一第一角度位于该两条第一斜线之间；以及

透明电流扩散层，其包含一位于该半导体接触层之上的顶面，且该透明电流扩散层的该顶面包含两相邻的第二顶峰以及一第二波谷，各第二顶峰包含一第二最高点，该第二波谷包含一位于该两相邻的第二顶峰之间的第二最低点，该顶面的该两个第二最高点与该第二最低点连接形成两条第二斜线，一第二角度位于该两条第二斜线之间；

其中该半导体接触层的该粗糙顶面大致位于该透明电流扩散层的该顶面的正下方，该第一角度与该第二角度的差异不大于10度。

2.如权利要求1所述的发光元件，其还包括一位于该第一最低点与该第二最低点之间的第一高度差，该第一高度差大于0。

3.如权利要求2所述的发光元件，其还包括一第二高度差以及一第三高度差，该第二高度差位于两相邻的第一顶峰与第二顶峰之间且大于0，该第三高度差位于另两相邻的第一顶峰与第二顶峰之间且大于0。

4.如权利要求3所述的发光元件，该第一高度差与该第二高度差的比例为0.1至10之间。

5.如权利要求3所述的发光元件，该第一高度差与该第三高度差的比例为0.1至10之间。

6.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一波谷包含第一平整区域。

7.如权利要求6所述的发光元件，其中该第二波谷包含第二平整区域。

8.如权利要求1所述的发光元件，其中该半导体接触层的顶部形成有多个孔穴，且该等孔穴自半导体接触层的顶部向下延伸以形成该粗糙顶面。

9.如权利要求1所述的发光元件，该第一角度大致等于该第二角度。

10.如权利要求1所述的发光元件，其中透明电流扩散层的材料包含金属氧化物或金属氮化物。