[发明专利]发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光元件，特别是涉及一种光取出效率高的发光二极管元件。

背景技术

发光二极管的应用颇为广泛，例如，可应用于光学显示装置、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置。目前技术人员重要课题之一为提高发光二极管的亮度。

现有技术的发光二极管，其具有的半导体层因具有粗化表面，可提高光取出效率。然而，粗化表面会降低横向电流的传导以及扩散，因此提高起始电压。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一发光元件，包含：一半导体接触层，其包含一粗糙顶面，粗糙顶面包含两相邻的第一顶峰以及一第一波谷，各第一顶峰包含一第一最高点，第一波谷包含一位于两相邻的第一顶峰之间的第一最低点，两个第一最高点与第一最低点连接形成两条第一斜线，且一第一角度位于两条第一斜线之间；以及一透明电流扩散层，其包含一位于半导体接触层之上的顶面，且透明电流扩散层的顶面包含两相邻的第二顶峰以及一第二波谷，各第二顶峰包含一第二最高点，第二波谷包含一位于两相邻的第二顶峰之间的第二最低点，顶面的该两个第二最高点与第二最低点连接形成两条第二斜线，一第二角度位于两条第二斜线之间；其中半导体接触层的粗糙顶面大致位于透明电流扩散层的顶面的正下方，且第一角度与第二角度的差异不大于10度。

底下通过具体实施例配合所附的附图详加说明，当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。

附图说明

图1A至图1F为本发明第一实施例的一种发光元件的制造流程图；

图1G为本发明第一实施例的第二导电型半导体层的上视示意图；

图1H为本发明第一实施例中的发光元件表面的氧化铟锡层的电子显微镜图；

图2A-图2D为本发明中第二实施例中的水平式发光元件实施例的剖面示意图；

图3为本发明第三实施例中发光元件的剖面示意图；

图4为本发明第四实施例中发光元件的剖面示意图；

图5为本发明第五实施例中发光元件的剖面示意图；

图6A-图6B为本发明第一实施例的第二导电型半导体层的上视示意图；

图7A-图7B为本发明第二实施例的第二导电型半导体层的上视示意图；

图8A为本发明其中一实施例的发光元件的剖面示意图；

图8B为本发明其中一实施例的发光元件的部分区域的剖面放大示意图；

图8C为本发明其中一实施例的发光元件的部分区域的剖面放大示意图；

图9A为本发明的发光元件应用于发光二极管模块的外观示意图；

图9B为本发明的光电元件模块的剖面示意图；

图9C为图9B中E区的剖面放大示意图；

图10A至图10B为本发明的其中一实施例的照明装置的示意图；以及

图11为本发明发光元件应用于灯泡的分解图。

符号说明

导电基板10、300、40

第一表面101、201

第二表面102

基板20、1210、50

发光叠层12、22、32、42

第一导电型半导体层124、224、324、424、524、1220

主动层122、222、322、422、522、1230

第二导电型半导体层120、220、1240、320、420、520

第一平坦层13

上表面1201、2201、2241

第二平坦层131、231、331、431、534

第四平坦层291

第一透明导电氧化物层14、24

第一部分141、241、281、341、441、541

第二部分142、242、282、342、442、542

第一多孔穴群1421、2421、2821、3421、4421、5421

第二多孔穴群1422、2422、2822、3422、4422、5422

第二透明导电氧化物层28、48、58

第一电极15、25、35、45、55

第二电极16、26、36、46、56

第一金属反射层17、27

第二金属反射层30

布拉格反射层38

金属键合层41、51

反射层49、59

第一分支151、251

第二分支1411、2411