[发明专利]一种SOI晶圆的激光标记方法有效
| 申请号： | 201410314613.2 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN105336567B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 金兴成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 soi 激光 标记 方法 | ||
1.一种SOI晶圆的激光标记方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
S1：提供一自下而上依次包括背衬底、埋氧层及顶层硅的SOI晶圆；在所述SOI晶圆正面依次形成第一介质层及第二介质层；
S2：在所述SOI晶圆正面形成激光标记区开口及若干浅沟槽隔离区开口，其中，在形成所述激光标记区开口的同时形成所述若干浅沟槽隔离区开口；所述激光标记区开口位于所述SOI晶圆边缘区域；所述激光标记区开口与所述浅沟槽隔离区开口的底部均到达所述埋氧层表面；
S3：从所述SOI晶圆正面对所述激光标记区开口进行激光照射，激光照射深度到达所述背衬底上部，以在所述背衬底上部形成激光标记；
S4：在所述激光标记区开口及所述浅沟槽隔离区开口中填充第三介质层，并进行平坦化去除开口外多余的第三介质层；所述浅沟槽隔离区开口中的第三介质层构成浅沟槽隔离结构，定义有源区。
2.根据权利要求1所述的SOI晶圆的激光标记方法，其特征在于：所述第一介质层为氧化硅层，所述第二介质层为氮化硅层，所述第三介质层为氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的SOI晶圆的激光标记方法，其特征在于：所述第一介质层的厚度为50～500埃，所述第二介质层的厚度为500～5000埃。
4.根据权利要求1所述的SOI晶圆的激光标记方法，其特征在于：所述激光标记位于所述SOI晶圆的缺口附近。
5.根据权利要求1所述的SOI晶圆的激光标记方法，其特征在于：所述激光标记位于所述SOI晶圆的缺口对面。
6.根据权利要求1所述的SOI晶圆的激光标记方法，其特征在于：于所述步骤S1中，形成所述第一介质层之前首先对所述SOI晶圆进行预清洗。
7.根据权利要求1所述的SOI晶圆的激光标记方法，其特征在于：于所述步骤S4中，所述第三介质层将所述激光标记区开口中由于激光照射产生的残屑覆盖。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
